孙叶
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 不同温度下碲铟汞晶体结构的XRD研究
- 2011年
- 通过X射线粉末衍射方法对大气环境下25-100℃条件下的碲铟汞晶体结构进行了研究。借助Rietveld方法,利用GSAS软件对碲铟汞晶体结构进行精修,并计算了其Hg空位浓度。结果表明,室温下碲铟汞晶体中由于Hg元素较易挥发而引入的Hg空位约占1.88%,晶格常数约为0.63163 nm;随着温度的升高,Hg的占位率逐渐降低,Hg空位的浓度有所提高;MIT的晶格常数呈现出先减小后增大的趋势。
- 孙叶孙晓燕介万奇王涛罗林傅莉
- 关键词：空位晶格常数RIETVELD方法
- 碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究
- 2010年
- 通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究。实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角。进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释。
- 罗林介万奇孙叶王涛傅莉
- 关键词：腐蚀坑位错电子背散射衍射
