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李勇涛

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院科研装备研制项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇键合
  • 1篇键合技术
  • 1篇SI
  • 1篇INP

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇刘邦武
  • 1篇李超波
  • 1篇夏洋
  • 1篇李勇涛

传媒

  • 1篇电子工艺技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InP/Si键合技术研究进展被引量：3
2010年
InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景。概括地介绍了近年来InP在Si上的键合工艺及层转移技术研究进展,并对InP和Si的几种键合工艺进行了分析。降低InP和Si键合温度,进行低温键合是其发展趋势。比较几种键合技术,利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有效途径。
刘邦武李超波李勇涛夏洋
关键词：SIINP键合
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