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杨倩倩

作品数:7 被引量:4H指数:1
供职机构:北京工业大学应用数理学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇光学
  • 2篇溅射
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇RUBREN...
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇导体
  • 1篇电池
  • 1篇电学
  • 1篇电压
  • 1篇电阻
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇设计性
  • 1篇设计性实验
  • 1篇势垒
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇太阳电池

机构

  • 7篇北京工业大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 7篇杨倩倩
  • 6篇邓金祥
  • 5篇高红丽
  • 4篇孔乐
  • 3篇崔敏
  • 3篇陈亮
  • 2篇王吉有
  • 2篇段苹
  • 1篇陈仁刚
  • 1篇苗一鸣
  • 1篇杨凯华
  • 1篇刘敏蔷
  • 1篇张怀
  • 1篇刘红梅
  • 1篇孙天娇
  • 1篇张紫佳
  • 1篇雷宇

传媒

  • 3篇真空
  • 1篇物理与工程

年份

  • 2篇2020
  • 4篇2016
  • 1篇2015
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
基于MoO3掺杂红荧烯混合膜的光学及电学特性研究
采用共蒸镀法在石英衬底上制备MoO3 掺杂Rubrene 混合薄膜(1:1),薄膜的紫外-可见-近红外吸收光谱表明,在近红外波段出现强烈吸收,表明混合膜中形成激基复合物,基于Tauc 公式求得该吸收带对应能级为1.24 ...
陈亮邓金祥孔乐高红丽杨倩倩王贵生崔敏段苹
关键词:激基复合物近红外吸收肖特基势垒
沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材料ZnS物性及光学性质的影响被引量:1
2015年
在沉积时间分别为1 h、1.5 h、2 h及2.5 h的条件下,分别用磁控溅射法制备了Zn S薄膜,用XRD、SEM、台阶仪、椭偏仪等实验仪器进行物性检测,最终发现,沉积时间越长的薄膜,晶粒越小,密度越大,折射率越大;消光系数受晶粒大小、晶界多少、孔隙率等多种因素影响,呈现复杂变化。
苗一鸣邓金祥段苹陈仁刚杨倩倩高红丽
关键词:磁控溅射法宽禁带半导体
不同Si含量掺杂的ZTO薄膜的制备与研究
2020年
本文采用磁控溅射法制备Si元素掺杂的ZnSnO薄膜(SZTO),研究Si元素掺杂对薄膜样品性能的影响。XRD衍射图谱表明,不同Si掺杂含量的薄膜均呈现非晶态。利用原子力显微镜表征薄膜的表面形貌,随着Si含量的增加,薄膜样品的表面粗糙度呈现出单调递增的趋势,Si掺杂使薄膜样品的平整度降低。透射谱测试表明不同Si含量掺杂的SZTO薄膜在可见光波段均具有较高的透射率,利用Si元素掺杂可以提高在可见光范围的透射率,并有效增加ZnSnO(ZTO)薄膜的光学带隙。PL谱测试表明,随着Si掺杂浓度的升高,PL谱的强度呈现出不同程度的增大,且展宽变宽,这表明Si掺杂的ZTO薄膜样品中引入了一些深能级缺陷。
戴永喜杨倩倩邓金祥孔乐刘红梅杨凯华王吉有
关键词:射频磁控溅射
BiFeO3/YBCO异质结构的输运特性
我们在(001)方向的SrTiO3 基片上制备了BiFeO3(BFO)/YBCO 异质结构.XRD 结果显示该异质结构只存在STO、BFO 和YBCO 的(00l)衍射峰,不存在其它杂相.通过TEM 截面对其进行选区电子...
杨倩倩张怀令狐克寰陈学刚张继波聂瑞娟王福仁邓金祥王吉有
关键词:YBCOBIFEO3
C60与rubrene混合薄膜的光学性质被引量:1
2016年
本文采用高真空热蒸镀法于衬底温度70℃下在玻璃基片上制备C60和rubrene混合薄膜。将两种材料的粉末置于不同的坩埚中共同蒸发,通过控制坩埚的加热温度来控制混合的比例,达到了制备混合薄膜的效果。利用原子力显微镜和台阶仪对薄膜的表面形貌和厚度进行测量,通过紫外-可见分光光度计获得了薄膜的透射谱和反射谱。实验结果表明了混合后的薄膜并不是都出现明显的吸收峰值。当C60:rubrene混合比为1:4、1:2、1:1、2:1、4:1时,利用透射谱和反射谱分别作出吸收光谱,借用Tauc公式求得能隙值,发现当混合比为1:1时,薄膜表面形貌最为均匀,吸收峰值最大,能隙最小。
张紫佳邓金祥孔乐陈亮崔敏杨倩倩高红丽
关键词:吸收光谱能隙
微安表内阻值对热敏电阻温度计设计的影响被引量:2
2020年
由电流型非平衡电桥改装的热敏电阻温度计,微安表内阻值的大小对实验能否设计成功起到至关重要的作用。电源设计电压随微安表内阻值的增加线性增大,导致热敏电阻两端加载的最大电压线性增大。当选用量程为300微安的表头时,如果其内阻值大于1600欧姆,按照改装原理得到的参数容易直接击穿热敏电阻。为了设计出高灵敏度且安全可靠的热敏电阻温度计,电路中各阻值应保持在同一数量级且相近,并确保微安表的内阻值远低于1600欧姆。在教学中,内阻在300欧姆以下的微安表是最可靠的。
王贵生雷宇邓金祥高红丽杨倩倩刘敏蔷王吉有
关键词:热敏电阻设计性实验电压电阻
Si基Ge虚拟衬底的制备及生长机理研究
高性能、低成本的太阳能薄膜电池是有效利用太阳能、缓解能源危机的关键,在低成本的Si衬底上外延高性能的Ge 薄膜作为Ⅲ-Ⅴ 族太阳能电池的虚拟衬底是一个重要突破口。利用磁控溅射法制备了不同厚度的Si 基Ge 薄膜虚拟衬底,...
崔敏孙天娇吴高米邓金祥陈亮孔乐欧阳丽婷高红丽杨倩倩
关键词:太阳电池
共1页<1>
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