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杨倩倩

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学刻蚀
  • 1篇深孔
  • 1篇微通道板
  • 1篇刻蚀
  • 1篇硅基
  • 1篇分辨率
  • 1篇高分辨率
  • 1篇长径比

机构

  • 1篇深圳大学

作者

  • 1篇吕文峰
  • 1篇郭金川
  • 1篇周彬
  • 1篇胡涛朝
  • 1篇杨倩倩
  • 1篇张雪

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
硅基高长径比深孔阵列的制作研究被引量:1
2013年
高长径比深孔阵列是微通道板、高分辨率X射线探测器、X射线二维光栅等器件的基本结构。基于制作大面积高长径比的深孔阵列目前仍是微纳制作技术面临的重大挑战。介绍了几种硅基微孔阵列的制作方法并分析了这几种方法的优劣。提出了用光助电化学刻蚀方法在硅基上制作大面积高长径比的深孔阵列,并从实验上研究了溶液浓度、温度、硅片掺杂浓度、光照条件、电流和电压等刻蚀过程参数对深孔微结构形貌的影响。最后给出了最佳刻蚀过程的实验参数,在整个5英寸(1英寸=2.54 cm)n型硅圆片上得到了长径比在40以上、有效圆面直径达110 mm的深孔阵列。
杨倩倩周彬吕文峰胡涛朝张雪郭金川
关键词:长径比微通道板高分辨率
共1页<1>
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