杨龙龙
- 作品数:10 被引量:38H指数:3
- 供职机构:南通大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>
- 电流聚集下倒装芯片封装体应力及翘曲研究被引量:3
- 2020年
- 为研究电流聚集对倒装芯片封装的影响,建立倒装芯片的三维封装模型,利用有限元技术对倒装芯片球栅格阵列(flip chip ball grid array,FCBGA)封装进行热-电耦合分析和热-结构耦合分析,得到倒装芯片封装体中温度分布、应力分布及位移分布。结果表明:封装最高温度出现在环氧树脂中心,封装导致芯片在电流聚集的焊料凸点处温度最高;该封装的位移都是从中心向边缘逐渐变大,最大位移位于距离中心最远的角上。
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- 关键词:倒装芯片封装热应力翘曲可靠性
- 热-电耦合下倒装芯片封装焊点的电迁移失效研究被引量:3
- 2015年
- 热电交互作用下产生的电迁移现象成为倒装芯片封装关键的可靠性问题。建立了FCBGA(倒装芯片球栅陈列封装)三维封装模型,研究了热-电交互作用下倒装芯片互连结构中的温度分布、电流密度分布以及焦耳热分布;发现焊料凸点中存在严重的焦耳热和电流聚集现象;分析了焊料凸点中热点出现的原因,并发现热点在焊料凸点空洞形成过程中起到了关键作用。
- 刘培生杨龙龙刘亚鸿
- 关键词:倒装芯片焦耳热电流密度电迁移封装
- 塑封器件芯片与塑封料界面分层的研究被引量:3
- 2015年
- 针对一款LQFP塑封器件,利用ANSYS有限软件建立了三维模型,根据断裂参数——J积分,讨论分析了芯片/塑封料界面的三种分层区域模型,得到了分层的主要扩展模型,即凸形分层区域,同时提出了一种分层扩展趋势的新模型,进而对凸形分层模型探讨了温度和裂纹半径对器件分层的影响。仿真数据表明,在极端低温或高温下,器件的分层区域容易扩展;而在一定的应力条件下,裂纹扩展的趋势会受到裂纹半径大小的影响。
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- 关键词:塑封器件J积分仿真
- 多场耦合下倒装芯片封装焊点电迁移可靠性研究
- 随着微电子技术的发展,集成电路封装技术逐步朝着低成本、微型化、高性能的趋势发展。倒装芯片封装由于其高的输入/输出端口(I/O)密度、高的生产率、互连过程中的自对准、好的散热性、高的生产率等优点,成为现代电子封装中最具吸引...
- 杨龙龙
- 关键词:倒装芯片封装电迁移焊料凸点可靠性
- 文献传递
- 功率MOSFET管的热疲劳寿命预测被引量:3
- 2015年
- 通过ANSYS有限元分析软件对TO-263器件功率MOSFET管进行电-热-机械耦合分析,并对其热疲劳寿命作出预测。首先进行了瞬态热分析,得出了芯片的热通量变化图,在此基础上进行模拟并通过Coffin-Manson定律预测功率MOSFET管的热疲劳寿命。结果表明,TO-263器件功率MOSFET管的热疲劳失效循环总数为6 113。
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- 关键词:MOSFET仿真可靠性
- 塑封器件回流焊与分层的研究被引量:1
- 2014年
- 由于无铅焊料的应用,回流焊的温度提高影响了塑封器件的质量和可靠性。针对实际的LQFP器件,利用有限元软件建立三维模型,分析了塑封器件在潮湿环境中的湿气扩散及回流焊中的形变和热应力分布,并讨论了塑封料参数及细小裂纹对分层的影响。结果表明,在湿热的加载下,塑封器件的顶角易发生翘曲现象;芯片与塑封料界面处易分层,导致器件失效。
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- 关键词:塑封器件湿气回流焊热应力可靠性
- 倒装芯片封装技术的发展被引量:11
- 2014年
- 倒装芯片(FC)技术已经广泛应用于集成电路封装工艺中。介绍了FC技术的发展,讨论了FC的关键技术,如凸点下金属(UBM)、焊料凸点(Solder bump)、下填料(Underfill)、基板技术(Substrate),阐述了FC中的新技术,如铜柱(Cu pillar)、可控塌陷芯片连接新工艺(C4NP),分析了FC的可靠性,最后展望了FC与硅通孔(TSV)技术的结合趋势。
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- 关键词:集成电路倒装芯片无铅焊料
- 随机振动下板级组件焊点可靠性研究进展被引量:7
- 2015年
- 针对板级组件焊点在随机振动下的可靠性问题,对与之相关的实验研究成果和仿真结果进行了综述。首先介绍了球栅阵列(BGA)封装芯片焊点失效的位置,BGA焊点的材料以及BGA参数和印制电路板(PCB)参数对焊点可靠性的分析,并介绍了疲劳寿命预测方法和子模型法、特殊结构的随机振动分析。最后,提出了随机振动情况下的BGA结构的优化方法。
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- 关键词:焊点有限元分析可靠性
- 晶圆级封装的优化散热分析被引量:6
- 2015年
- 通过有限元分析软件ANSYS,对一款晶圆级封装的产品进行有限元分析仿真,讨论了空气对流系数、环境温度、基板厚度、焊球间距等因素对芯片热阻的影响。结果表明:考虑成本、散热等综合因素,选择空气对流系数为25×10–6W/(mm·℃)基板厚度为0.10 mm、焊球间距为0.5 mm为最优参数,可满足实际生产需要。
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- 关键词:晶圆级封装有限元分析热仿真热阻基板
- 倒装芯片互连结构中电流聚集研究被引量:2
- 2015年
- 由于电流聚集,在倒装芯片封装技术中,电迁移已经成为一个关键的可靠性问题。分析了电迁移力和电迁移中值失效时间,采用二维模型研究了电流密度和焦耳热在倒装芯片互连结构中的分布以及影响电流密度和焦耳热分布的因素。结果表明铝线(Al)和凸点下金属层(UBM)的厚度对电流密度和焦耳热分布有很大的影响。
- 刘培生杨龙龙卢颖刘亚鸿
- 关键词:倒装芯片电流密度可靠性焦耳热集成电路