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赵晶

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:西安邮电大学电子工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇砷化镓
  • 1篇数控衰减器
  • 1篇数字衰减器
  • 1篇衰减器
  • 1篇迁移率
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇晶体管
  • 1篇镜频
  • 1篇镜频抑制
  • 1篇镜像抑制
  • 1篇镜像抑制混频...
  • 1篇混频
  • 1篇混频器
  • 1篇隔离度
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇变频损耗
  • 1篇S波

机构

  • 2篇西安邮电大学

作者

  • 2篇张晗
  • 2篇赵晶
  • 1篇常树茂
  • 1篇张博
  • 1篇李金蕾

传媒

  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇西安邮电大学...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
S波段超低变频损耗镜像抑制混频器被引量:1
2015年
镜像抑制混频器能有效地减少镜像干扰,抑制镜像频率,被广泛的应用在微波产品中。主要设计了S波段镜像抑制混频电路,首先阐述了平衡混频器、镜像抑制混频器的工作原理,然后利用ADS进行设计和仿真。该混频器的射频输入信号3 600 MHz,本振输入信号为3 800 MHz,中频输出信号为200 MHz。为了减少射频和本振信号的泄露,利用λ/4开路线对信号进行回收,既减小了变频损耗,也增大了端口隔离度。最终变频损耗小于4.2 d B,隔离度大于30 d B,镜像抑制度基本都大于20 d B,由仿真结果验证出该设计是可行的。
张晗常树茂赵晶
关键词:混频器镜频抑制变频损耗隔离度ADS
高性能25~30GHz 6位单片数控衰减器被引量:3
2016年
采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款高性能25~30GHz 6位单片数控衰减器芯片。电路采用6个基本衰减单元级联结构,通过控制不同衰减位导通状态组合形成64个衰减状态,给出在衰减电阻上并联的衰减结构。仿真结果表明,所设计的数控衰减器具有0.5dB的衰减步进和31.5dB的最大衰减范围;插入损耗小于5.7dB,回波损耗优于-10dB;所有状态衰减精度小于+0.5dB,附加相移小于-6.0°,衰减幅度均方根误差小于0.21dB,芯片尺寸为2.0mm×1.0mm,可提高衰减精度。
张博赵晶张晗李金蕾
关键词:数字衰减器砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
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