孙玉华
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院科研装备研制项目江苏省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响被引量：3
- 2018年
- 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容。I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高。经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7×10^12和4×10^11eV^-1·cm^-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理。
- 杨涛涛韩军林文魁曾春红张璇孙玉华张宝顺鞠涛
- 关键词：4H-SICMOS电容C-V测试界面态密度
- 4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善
- 2022年
- 采用磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现:提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以改善深槽侧壁的粗糙度。分析了其中的刻蚀机理,实验结果和分析对研究SiC深槽刻蚀具有一定的指导意义。
- 董志华刘辉曾春红张璇孙玉华崔奇程知群张宝顺
- 关键词：碳化硅深刻蚀
- 一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法
- 本发明公开了一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法。所述器件结构包括设置在衬底上的器件结构层，以及与所述器件结构层配合的源极、漏极和栅极，并且所述器件结构层上还形成有与所述栅极配合的凹槽；其中，所述凹槽包括第一部分和...
- 刘辉曾春红董志华张宝顺孙玉华崔奇
- MOSFET器件及其制作方法
- 本发明公开了一种MOSFET器件及其制作方法。MOSFET器件包括器件结构层以及与所述器件结构层匹配的源极、漏极和栅极，所述器件结构层包括漂移区、沿第一方向依次层叠设置在所述漂移区的第一区域上的基区、欧姆接触区以及沿第一...
- 曾春红江磊枫孙玉华崔奇董志华张宝顺曾中明
- 4H-SiC常温Al离子注入技术被引量：2
- 2017年
- 通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和剂量的组合进行了常温注入实验,注入深度为500 nm,注入浓度均匀分布。注入完成后,以SiC上下夹片的保护方式对SiC样品在1 650和1 750℃两种退火温度下进行激活。研究温度对激活效果的影响,观察注入条件和退火保护方式对SiC样品表面粗糙度的影响。激活完成后,在SiC样品上生长了一层Ni,并进行退火,研究激活浓度对Ni与Al注入形成的p-SiC欧姆接触的影响。实验中用喇曼谱表征注入损伤,用原子力显微镜(AFM)监测退火后表面粗糙度,用霍尔测试表征激活效果。实验结果表明,以4°偏角掠射,用100 nm SiO_2作为缓冲层进行注入,以1 750℃用SiC上下夹片保护进行退火,可以得到表面粗糙度为0.862 nm、激活浓度为4.25×1019 cm^(-3)的p-SiC样品。该方法可用于指导pin二极管、JBS、MOSFET、JFET和BJT等器件的设计。
- 王冬雨林文魁曾春红孙玉华鞠涛张宝顺张新平
- 关键词：碳化硅离子注入喇曼光谱欧姆接触
- 体声波谐振式日盲紫外光传感器研究
- 2022年
- 提出了一种并联体声波谐振器(BAWR)与Ga_(2)O_(3)基MSM紫外传感器的新型高灵敏度传感器结构,即体声波谐振式日盲紫外光传感器(BAWR-UV Sensor)。设计并制备了MSM Ga_(2)O_(3)紫外传感器和BAWR传感器,将实测的光、暗S参数在仿真软件中封装为S1P数据模型代替MSM等效电路,用MBVD模型代替BAWR等效电路,通过并联两种结构建立了BAWR-UV仿真模型;采用ADS软件仿真了BAWR核心参数对BAWR-UV传感器灵敏度的影响,研究了提高灵敏度的设计方案。仿真结果表明,在0.5~4.5 GHz频率范围内,BAWR-UV的并联Q值越大,阻抗灵敏度越高,同时阻抗灵敏度随频率降低而增大,在并联谐振频率f_(p)=0.533 GHz时获得最佳阻抗灵敏度为100 kΩ/(μW/mm^(2));频率灵敏度随频率的升高而增大,在f_(p)=4.5 GHz时获得最佳频率灵敏度为1.4 MHz/(μW/mm^(2))。最后,开展了高灵敏度日盲紫外传感器的探索。
- 王笑怡林文魁李海鸥李海鸥曾春红曾春红刘义彰孙玉华孙玉华张宝顺
- 关键词：体声波谐振器氧化镓
