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董耀文

作品数:14 被引量:66H指数:4
供职机构:南京航空航天大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信交通运输工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 5篇碳化硅
  • 4篇桥臂
  • 3篇氮化镓
  • 3篇漏源电压
  • 2篇电动
  • 2篇电动汽车
  • 2篇电机
  • 2篇电流
  • 2篇断路
  • 2篇断路器
  • 2篇直流固态
  • 2篇损耗
  • 2篇汽车
  • 2篇自供电
  • 2篇开关管
  • 2篇开关损耗
  • 2篇固态断路器
  • 2篇反向并联二极...
  • 2篇反向恢复
  • 2篇SIC

机构

  • 13篇南京航空航天...
  • 1篇上海电机学院
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 14篇董耀文
  • 13篇秦海鸿
  • 5篇付大丰
  • 5篇徐华娟
  • 4篇严仰光
  • 4篇张英
  • 2篇聂新
  • 1篇游霞
  • 1篇赵朝会
  • 1篇王丹
  • 1篇朱梓悦
  • 1篇赵海伟
  • 1篇余俊月
  • 1篇王丹

传媒

  • 2篇电子器件
  • 2篇电源学报
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇上海电机学院...
  • 1篇电气工程学报

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 8篇2016
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于常通型SiC器件的自供电直流固态断路器
本发明公开了一种基于常通型SiC器件的自供电直流固态断路器,属于电气设备及电气工程技术领域。它包括常通型SiC功率开关管、负压关断电路和吸收电路。其特点是:采用常通型SiC功率开关管,通过检测功率开关管漏源电压实现过流保...
王丹秦海鸿徐华娟董耀文
文献传递
SiC MOSFET短路特性被引量:8
2018年
为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作,必须充分认识SiC器件的短路机理。首先对SiC MOSFET硬开关短路故障下短路电流原理进行了分析,在此基础上对不同电路参数对SiC MOSFET短路特性的影响进行了对比分析,揭示了短路特性的关键影响因素,并对Si与SiC MOSFET短路能力和器件恶化机理进行了对比分析,从而为设计SiC MOSFET短路保护电路提供一定的指导。
秦海鸿徐克峰王丹董耀文赵朝会
关键词:碳化硅MOSFET短路特性短路保护
宽禁带半导体器件研究现状与展望被引量:31
2016年
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。
朱梓悦秦海鸿董耀文严仰光徐华娟
关键词:碳化硅氮化镓
一种用于电机驱动电路的桥臂及其控制方法
本发明实施例公开了一种用于电机驱动电路的桥臂及其控制方法,涉及电气设备及电气工程技术领域,能够抑制大电流情况下电机桥臂MOSFET体二极管反向恢复问题,减小电机驱动电路损耗,提高系统效率。本发明包括:桥臂开关管,桥臂优化...
马策宇秦海鸿张英董耀文付大丰
文献传递
GaN功率器件及其应用现状与发展被引量:8
2016年
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。现有硅基电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件的研究热点。介绍了氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状,阐述了其在典型场合中的应用,并剖析了其发展中存在的挑战。
秦海鸿董耀文张英徐华娟付大丰严仰光
关键词:氮化镓电力电子技术
宽禁带器件在电动汽车中的研究和应用被引量:4
2016年
硅基电力电子器件经过长期的发展,其性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。首先主要介绍了电动汽车对电力电子变换器的要求及宽禁带器件的发展,然后对宽禁带器件在电动汽车中的研究现状进行了分析和展望,最后指出了宽禁带器件在电动汽车应用中面临的主要问题。
董耀文秦海鸿付大丰徐华娟严仰光
关键词:碳化硅氮化镓电动汽车
耐高温变换器研究进展及综述被引量:3
2016年
耐高温变换器在多电飞机、电动汽车和石油钻井等恶劣环境中具有十分重要的应用价值。碳化硅功率器件具有高结温工作能力、较低损耗以及良好的温度稳定性,有利于实现耐高温变换器。首先简要阐述了耐高温变换器的应用领域和SiC基耐高温变换器各组成部分的技术发展现状,再介绍了SiC基耐高温变换器应用实例,最后探讨了SiC基耐高温变换器的关键问题和发展前景。
谢昊天秦海鸿董耀文徐华娟付大丰严仰光
一种新型的常通型GaN HEMT器件
2018年
对新型常通型GaN HEMT器件的特性和参数进行了研究。阐述了其静态和动态特性以及电流崩塌问题。针对其动态特性,与相近定额的Si MOSFET器件(TK2Q60D)在开通、关断时间与栅源电压的关系方面进行了对比,探讨了常通型GaN HEMT器件在不同输入电压和不同开关频率下的电流崩塌现象,并采用升压(Boost)电路,对常通型GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的最高工作频率能力进行了对比。实验结果表明,常通型GaN HEMT器件具有更高的工作频率,且工作频率的升高不影响电流崩塌现象。
徐宏庆修强董耀文秦海鸿
关键词:GANHEMT器件高频电流崩塌
一种新型超级联碳化硅结型场效应管
2018年
提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅结型场效应管的导通和开关特性进行了测试,实验测试得出改进型超级联碳化硅结型场效应管的阻断电压超过4 500 V,25℃时开关时间小于80 ns,开关损耗约为15 m J,具有良好的开关特性。
修强董耀文彭子和秦海鸿游霞
关键词:半导体器件高耐压低损耗
一种用于电机驱动电路的桥臂及其控制方法
本发明实施例公开了一种用于电机驱动电路的桥臂及其控制方法,涉及电气设备及电气工程技术领域,能够抑制大电流情况下电机桥臂MOSFET体二极管反向恢复问题,减小电机驱动电路损耗,提高系统效率。本发明包括:桥臂开关管,桥臂优化...
马策宇秦海鸿张英董耀文付大丰
文献传递
共2页<12>
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