您的位置： 专家智库 > >

赵红

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏省光电信息功能材料重点实验室更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇国内会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇显微镜
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇化物
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇发光
  • 1篇发光强度
  • 1篇PL
  • 1篇XRD
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇INN薄膜
  • 1篇MO

机构

  • 3篇江苏省光电信...

作者

  • 3篇谢自力
  • 3篇张荣
  • 3篇韩平
  • 3篇郑有炓
  • 3篇刘斌
  • 3篇赵红
  • 2篇江若琏
  • 2篇修向前
  • 2篇陆海
  • 2篇梅琴
  • 1篇顾书林
  • 1篇施毅

传媒

  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用
＜正＞本文利用高性能的阴极荧光联合分析系统研究了Ⅲ族氮化物的发光性质。阴极荧光联合分析系统由热场场发射扫描电镜（SEM,JEOL 公司的 JSM-7000F）和高性能阴极荧光谱仪 （Cathodoluminescence...
赵红张荣谢自力刘斌梅琴修向前陆海江若琏韩平郑有炓
文献传递
湿化学腐蚀法研究GaN薄膜中的位错
本文采用湿化学腐蚀方法结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入10wt％的MgO,对样品进行腐蚀处理,得出优化的腐蚀条件...
赵红韩平梅琴刘斌陆海谢自力张荣郑有炓
关键词：GAN薄膜位错密度电子显微镜发光强度
文献传递
MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
＜正＞高质量的 InN 材料的带隙宽度在0.7eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物（InN、 GaN、AlN）及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金（InGa...
谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓
关键词：INNPLXRD
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0