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阎利娟

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:燕山大学电气工程学院仪器科学与工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇多孔硅
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇成核
  • 1篇成核机理

机构

  • 1篇燕山大学

作者

  • 1篇蔡亚楠
  • 1篇乔淑欣
  • 1篇张乐欣
  • 1篇李志全
  • 1篇阎利娟

传媒

  • 1篇化学通报

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
多孔硅成核的电化学研究被引量:2
2006年
将P型单晶硅在HF溶液中进行阳极电化学腐蚀制备出孔隙率约为30%~85%、直径为2~30nm不等的多孔硅,用原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌。采用电化学工作站(CHI660A)监测p型硅电极在不同浓度HF溶液中的电流-电压特性,记录恒电流情况下硅电极的电压变化。这些曲线可从精确反映多孔硅形成的早期成核过程。将这些电化学特性曲线在同一坐标轴下显示,得出多孔硅的电化学成核机理。
李志全乔淑欣张乐欣蔡亚楠阎利娟
关键词:多孔硅原子力显微镜电流-电压特性成核机理
共1页<1>
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