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黄波

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：广东工业大学更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇电子阻挡层
  • 9篇多量子阱
  • 9篇多量子阱结构
  • 9篇阻挡层
  • 9篇量子阱结构
  • 9篇掺杂
  • 7篇LED器件
  • 6篇输出功率
  • 6篇紫外
  • 6篇量子效率
  • 6篇内量子效率
  • 6篇光输出
  • 6篇光输出功率
  • 5篇封装
  • 4篇植物
  • 3篇倒装
  • 3篇短波长
  • 3篇散热
  • 3篇散热基板
  • 3篇静电保护

机构

  • 27篇广东工业大学

作者

  • 27篇黄波
  • 26篇何苗
  • 15篇熊德平
  • 2篇周俊楠
  • 1篇吴克刚
  • 1篇魏浩
  • 1篇苏俊婷

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 16篇2017
  • 1篇2015
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种实现短波长紫外LED的外延结构
本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型...
何苗黄波熊德平杨思攀王润
一种实现短波长紫外LED的外延结构
本实用新型公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和...
何苗黄波熊德平杨思攀王润
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一种提高紫外LED光输出功率的外延结构
本实用新型公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层，所...
何苗黄波熊德平杨思攀周海亮
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一种实现短波长紫外LED的外延结构
本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型...
何苗黄波熊德平杨思攀王润
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一种紫外LED封装器件
本实用新型公开了一种紫外LED封装器件。所述紫外LED封装器件包括氧化铝陶瓷基板、紫外LED芯片、铜镀层、CuAlO<Sub>2</Sub>过渡层、硅树脂固层和石英玻璃；所述紫外LED芯片包括正电极和负电极，该芯片固定在...
何苗黄波熊德平杨思攀周海亮
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一种深紫外LED
本申请提供一种深紫外LED，包括：衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述多量子阱结构背离所述衬底...
何苗黄波王成民王润周海亮
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一种紫外LED器件
本实用新型公开了一种紫外LED器件，该器件包括陶瓷基座；设置于所述陶瓷基座的凹槽；设置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的台形阶梯结构；安装于所述台形阶梯结构处的石英玻璃盖板；共晶倒装焊接于所述凹槽底面的紫外LED芯片，其中...
何苗黄波周俊楠王志成王成民
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一种紫外LED外延结构
本申请提供一种紫外LED外延结构，包括：衬底；依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，所述超晶格结构包括至少一层第一AlGaN层和...
何苗黄波王成民周海亮王润
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一种作用于温室植物生长的控制系统
本发明涉及一种作用于温室植物生长的控制系统，包括PLC控制器、分别与PLC控制器连接的环境传感系统、环境调控系统、数据存储单元以及用于人机交互和系统信息实时观测的HMI用户界面；本发明具有以下优点：1)可根据植物属性不同...
何苗黄波熊德平王润
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一种提高紫外LED光输出功率的外延结构
本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层，所述衬...
何苗黄波熊德平杨思攀周海亮
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