刘宏燕
- 作品数：4 被引量：33H指数：2
- 供职机构：中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 脉冲腐蚀法制备多孔硅及发光性能研究
- 宋晓岚喻振兴刘宏燕
- 纳米SiO_2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究被引量：1
- 2008年
- 采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能。结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为。随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀。
- 宋晓岚刘宏燕杨海平岳汉威邱冠周
- 关键词：电化学
- 锆基包裹色料的研究现状及展望被引量：3
- 2007年
- 综述了陶瓷工业中重要的锆基包裹色料及其包裹机理的国内外研究现状,概述了ZrSiO4-Cd(SxSe1-x)包裹色料的制备方法,分析了包裹色料固相法制备中所存在的问题,提出了解决问题的思考途径,并对包裹色料的前景进行了展望。
- 宋晓岚彭林李宇琨刘宏燕邱冠周
- 关键词：包裹色料
- 纳米SiO_2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理被引量：29
- 2008年
- 采用电化学方法,研究了SiO2浆料pH值、H2O2浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对n型半导体单晶硅片(100)和(111)晶面化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)去除速率的影响和作用机理。结果表明:抛光速率随SiO2固体含量、抛光转速及压力的增加而增大,随抛光时间的增加而减小;在pH值为10.5和H2O2为1%(体积分数)时,抛光速率出现最大值;相同抛光工艺条件下(100)晶面的抛光速率远大于(111)晶面。半导体硅片CMP过程是按照成膜(化学腐蚀作用)→去膜(机械磨削作用)→再成膜→再去膜的方式进行,直到最终全局平坦化。实验所获得适合n型半导体硅片CMP的优化工艺参数为:5%～10%SiO2(质量分数),pH=10.5,1%H2O2,压力为40kPa及(110)晶面和(111)晶面的抛光转速分别为100r/min和200r/min;在该条件下10%SiO2浆料中抛光30min得到的抛光硅片的表面粗糙度为0.7nm左右。
- 宋晓岚刘宏燕杨海平张晓伟徐大余邱冠周
- 关键词：化学机械抛光单晶硅片抛光速率
