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吕宝华

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：山西师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 4篇铁电
  • 2篇导体
  • 2篇源极
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁电半导体
  • 2篇铁电性
  • 2篇奇数
  • 2篇漏极
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管器件
  • 2篇溅射
  • 2篇沟道
  • 2篇半导体
  • 2篇磁控
  • 1篇电极
  • 1篇氧化铪
  • 1篇英文
  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇铁磁层

机构

  • 6篇山西师范大学

作者

  • 6篇吕宝华
  • 4篇许小红
  • 2篇江凤仙
  • 1篇全志勇
  • 1篇范九萍
  • 1篇李小丽
  • 1篇张军
  • 1篇王朱良
  • 1篇田宝强

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇中北大学学报...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种晶体管器件及其应用和制备
本发明公开一种晶体管器件及其应用和制备。公开的晶体管器件包含一沟道，沟道与晶体管器件的源极和漏极连接，沟道由奇数层二维铁电半导体材料构成。还公开一种利用该晶体管器件实现室温下产生负微分效应的方法，以及该种晶体管器件的制备...
薛武红许小红杨瑞龙吕宝华次文娟庞瑞雪
一种晶体管器件及其应用和制备
本发明公开一种晶体管器件及其应用和制备。公开的晶体管器件包含一沟道，沟道与晶体管器件的源极和漏极连接，沟道由奇数层二维铁电半导体材料构成。还公开一种利用该晶体管器件实现室温下产生负微分效应的方法，以及该种晶体管器件的制备...
薛武红许小红杨瑞龙吕宝华次文娟庞瑞雪
基片温度对Co掺杂ZnO薄膜室温铁磁性的影响(英文)被引量：1
2008年
采用磁控共溅射法在Al2O3（0001）基片上沉积了Zn1-xCoxO（x=0.08～0.31%）薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果表明：Al2O3（001）基片很好地诱导了ZnCoO薄膜（002）取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性。较低的基片温度不仅能有效抑制薄膜中Co2O3杂质相的产生,而且薄膜磁矩较大。紫外-可见光谱也表明,薄膜中Co^2＋取代了ZnO中Zn^2＋的位置。
王朱良李小丽江凤仙田宝强吕宝华许小红
关键词：磁控共溅射基片温度铁磁性
一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法
本发明属于磁电耦合材料制备技术领域，具体涉及一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法。该异质结构包括依次层叠设置的衬底、氧化铪层、铁磁层和铂电极；氧化铪层为具有铁电性的掺杂氧化铪；铁磁层为CoFe<Sub>2</...
全志勇王美美张笑肖政昱吕宝华张军许小红
文献传递
BN及Ag对FePt薄膜结构和磁性的影响
2009年
采用磁控溅射在玻璃基片上制备了BN/FePt/Ag薄膜,并在550℃真空退火30 min.用振动样品磁强计和X射线衍射仪研究了薄膜的磁特性和微观结构.结果表明:BN的厚度影响了BN/FePt/Ag薄膜的有序度和矫顽力,而且BN的添加有效地抑制了FePt粒子的长大,较薄的BN更有利于FePt由FCC向FCT相转变.此外,Ag的位置对提高[BN/FePt]5/Ag薄膜的垂直取向有一定的影响,总厚度为3.75 nm的Ag掺杂在BN与FePt之间要比在顶层更利于FePt垂直取向.
范九萍江凤仙吕宝华
关键词：磁控溅射矫顽力
二维2H α-In2Se3纳米片的制备和铁电性研究
吕宝华
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