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杨爱国

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：绍兴文理学院数理信息学院光电材料研究所更多>>
发文基金：浙江省科技厅新苗人才计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇电特性
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶体
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇半导体纳米晶
  • 1篇半导体纳米晶...
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇南开大学
  • 1篇绍兴文理学院

作者

  • 1篇王醉
  • 1篇宋经纬
  • 1篇马锡英
  • 1篇姚江宏
  • 1篇杨爱国
  • 1篇陈中平

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展被引量：1
2009年
介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。
王醉马锡英宋经纬陈中平杨爱国姚江宏
关键词：半导体纳米晶体掺杂光电特性
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