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王立平

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”湖北省青年杰出人才基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇凝胶注模
  • 1篇凝胶注模成型
  • 1篇注模
  • 1篇注模成型
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇锆钛酸铅
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米粉
  • 1篇纳米粉体
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇非金属材料
  • 1篇粉体
  • 1篇PMN
  • 1篇PZT
  • 1篇

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇卢琳
  • 3篇王立平
  • 2篇谢静菁
  • 2篇姜胜林
  • 1篇谢甜甜
  • 1篇陈亚波
  • 1篇刘耀平
  • 1篇王聪

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
成型工艺对PMN-PMS-PZT热释电陶瓷性能的影响
2009年
采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅(PMN—PMS-PZT)陶瓷,并进行对比研究。实验结果表明,冷等静压成型的陶瓷综合性能较好,其具有均匀紧凑的晶粒结构,可得到较高的成瓷密度;使材料的介电常数εr,和介电损耗tanδ降低,在保持较高热释电系数p的同时降低低温铁电三方相-高温铁电三方相(FRL—FRH)的相变温度,并使热释电系数峰值得到稳定。其最佳性能为室温时,εr=216,tanδ=0.20%,p=12.0×10^-4C/m^2·℃(持续温区为23-55℃),探测率优值FD=24.6×10^-5Pa^-1/2。
卢琳刘耀平王立平姜胜林
关键词:介电性能
Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3热释电陶瓷材料研究被引量:1
2007年
采用Pechini法制备了100 nm的Ba0.7Sr0.3TiO3纳米粉体,并用凝胶注模成型工艺制备不同Mn含量的BST陶瓷。研究表明,在Mn掺杂量为0.5%(摩尔分数),烧结温度为1 280℃时制备的样品,其热释电性能较好,在居里温度附近,30~40℃时,其平均热释电系数为450μC.m–2.K–1,对应平均探测率优值为5.6μC.m–3.K–1,1kHz频率条件下tanδ低于0.5%,εr为3 500左右(室温20℃,外加偏压200 V/mm)。
陈亚波卢琳谢甜甜王立平谢静菁
关键词:无机非金属材料BST纳米粉体凝胶注模成型MN掺杂
PZT叠层厚膜陶瓷材料性能的研究被引量:1
2009年
使用凝胶流延成型工艺制备了PZT85/15、PZT95/5单组分厚膜及叠层厚膜。通过和单组分厚膜的性能进行对比,分析了叠层厚膜的形貌特征及介电、铁电和热释电性能。结果表明,由PZT85/15和PZT95/5组成的叠层厚膜内部均匀致密,具有良好的介电、铁电和热释电性能,极化后的相对介电常数rε=191.5,介电损耗tanδ=0.7%(温度T=20℃,频率f=1 kHz),热释电系数在41℃时达到峰值8×10-8C/cm2.K,此后下降不明显,从而改善了单组分厚膜相变温区过窄的缺点,达到拓宽相变温区的目的,有望在红外探测和相变换能方面得到更广泛的应用。
王立平卢琳谢静菁王聪姜胜林
关键词:PZT
共1页<1>
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