张阳
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学化学工程更多>>
- 接触式还原法制备黑色二氧化钛的方法
- 本发明涉及一种接触式还原法制备黑色二氧化钛的方法，包括固态和液态接触式还原法制备。在本发明提供的一种方法中，在负压下或惰性气氛中，加热还原剂与二氧化钛的混料至200～800℃，保持规定时间，还原二氧化钛而得到黑色二氧化钛...
- 黄富强尹浩单玉凤于刘涛张阳
- 文献传递
- 一种氧化石墨烯分散高质量石墨粉、石墨烯，制备高导热、高导电薄膜的方法
- 本发明涉及一种氧化石墨烯分散高质量石墨粉、石墨烯，制备高导热、高导电薄膜的方法，包括：将石墨粉和/或石墨烯加入规定的有机溶液中，超声分散规定时间得到第一分散液；将规定量的氧化石墨溶液加入第一分散液，搅拌均匀得到第二分散液...
- 黄富强于刘涛毕辉张阳
- 文献传递
- 一种高质量石墨烯及其制备方法
- 本发明涉及一种高质量石墨烯及其制备方法，该制备方法包括将氧化石墨烯包裹嵌入膨胀石墨片层间得到氧化石墨烯/膨胀石墨混合物；以及将所得的氧化石墨烯/膨胀石墨混合物进行热处理以利用所述氧化石墨烯高温膨胀还原时的反应力辅助剥离所...
- 黄富强张阳毕辉于刘涛
- 文献传递
- 接触式还原法制备黑色二氧化钛的方法
- 本发明涉及一种接触式还原法制备黑色二氧化钛的方法，包括固态和液态接触式还原法制备。在本发明提供的一种方法中，在负压下或惰性气氛中，加热还原剂与二氧化钛的混料至200～800℃，保持规定时间，还原二氧化钛而得到黑色二氧化钛...
- 黄富强尹浩单玉凤于刘涛张阳
- 文献传递
- 一种氧化石墨烯分散高质量石墨粉、石墨烯,制备高导热、高导电薄膜的方法
- 本发明涉及一种氧化石墨烯分散高质量石墨粉、石墨烯，制备高导热、高导电薄膜的方法，包括：将石墨粉和/或石墨烯加入规定的有机溶液中，超声分散规定时间得到第一分散液；将规定量的氧化石墨溶液加入第一分散液，搅拌均匀得到第二分散液...
- 黄富强于刘涛毕辉张阳
- 文献传递
- 室温块状多铁单晶及其制备方法
- 本发明公开了一种室温块状多铁单晶及其制备方法。所述单晶的化学组成为Sc<Sub>x</Sub>Ga<Sub>2‑x‑</Sub><Sub>y</Sub>Fe<Sub>y</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中0＜x＜...
- 余野建定王慧李勤张阳夏朝阳方婧红倪津崎汪超越贺欢
- 文献传递
- 一种高导电、高导热、柔性的三维石墨烯材料与制备方法
- 本发明涉及一种高导电、高导热、柔性的三维石墨烯材料与制备方法，所述三维石墨烯材料为由多根石墨烯管排列组装而成的三维石墨烯绳、三维石墨烯布和三维石墨烯毡；其中所述石墨烯管由石墨烯卷曲而成，所述石墨烯的层数为1～200层，优...
- 黄富强毕辉张阳于刘涛
- 文献传递
- 一种高导电、高导热、柔性的三维石墨烯材料与制备方法
- 本发明涉及一种高导电、高导热、柔性的三维石墨烯材料与制备方法，所述三维石墨烯材料为由多根石墨烯管排列组装而成的三维石墨烯绳、三维石墨烯布和三维石墨烯毡；其中所述石墨烯管由石墨烯卷曲而成，所述石墨烯的层数为1～200层，优...
- 黄富强毕辉张阳于刘涛
- 文献传递
- Co掺杂GaFeO_(3)陶瓷的结构、导电及磁性能研究
- 2021年
- GaFeO_(3)因其磁电耦合效应成为目前极具潜质的多铁性材料之一。本工作采用固相烧结法制备了不同钴掺杂浓度的铁酸镓陶瓷,并研究了钴的掺杂浓度对铁酸镓陶瓷的相组成,微观结构形貌,漏电流及磁性的影响。XRD及Rietveld精修结果显示除了主相GaFeO_(3),还存在第二相,且随着钴含量的增加,第二相含量逐渐增加,晶体的畸变程度增大;因为掺入二价阳离子Co^(2+)并引入了第二相,样品的漏电性能和纯GaFeO_(3)陶瓷相比显著改善;当钴掺杂浓度为2at%时,样品的漏电流密度相较于GaFeO_(3)降低了7个数量级;掺入Co^(2+)引入第二相且晶格畸变程度增加使得GaFeO_(3)的磁性增强。研究结果表明:铁酸镓中掺杂微量的钴可以改善磁性,并使漏电流大幅降低而磁转变温度无明显下降。
- 夏朝阳王慧方婧红张阳汪超越贺欢倪津崎石云李勤余建定
- 关键词：固相烧结漏电流
- 微重力条件下的InxGa1-xSb晶体生长研究被引量：1
- 2020年
- InxGa1-xSb晶体是吸收波长可以在1.7–6.8μm范围内调控的三元半导体晶体,在红外探测、热光伏电池领域具有重要的应用前景,但由于其固液相线相距很远,容易形成成分偏析和结晶缺陷,且重力对流会增加晶体生长界面处物质输送的不均匀性,使得地面环境下难于生长高质量的InxGa1-xSb晶体.微重力环境由于抑制了自然对流,为晶体生长提供了良好条件,本文综述了微重力环境对InxGa1-xSb半导体晶体成分偏析和晶体缺陷的影响,并介绍了中国返回式微重力科学卫星实践十号上的InxGa1-xSb三元晶体的空间生长实验成果.
- 方婧红夏朝阳王慧张阳汪超越贺欢倪津崎李勤KUMAR VeluNirmalINATOMI YukoHAYAKAWA YasuhiroOKANO Yasunori余建定
- 关键词：微重力晶体生长
