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文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇存储器
  • 3篇低阻
  • 3篇惰性电极
  • 2篇电极
  • 2篇叠层
  • 2篇读取方法
  • 2篇料层
  • 2篇均一性
  • 2篇互补型
  • 2篇本征
  • 2篇衬底
  • 1篇悬臂
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇氧空位
  • 1篇氧离子
  • 1篇制备金属
  • 1篇随机存储器
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇曾中明
  • 7篇杜刚
  • 6篇王超
  • 5篇张宝顺
  • 5篇李涛
  • 1篇王志勇

年份

  • 2篇2019
  • 4篇2017
  • 1篇2015
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法
本发明公开了一种互补型阻变存储器,包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元;电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层;其中,当电化学金属化存储单元处于高阻态时,向活性电极层施加“...
杜刚李涛王超曾中明张宝顺
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低形成电压的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种低形成电压的阻变存储器,包括依次叠层设置在衬底上的惰性电极层、电阻转变层和活性电极层;还包括设置在电阻转变层和活性电极层之间的一含有缺陷的界面层。本发明还公开了上述低形成电压的阻变存储器的制备方法,包括步...
杜刚王超李涛曾中明张宝顺
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互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法
本发明公开了一种互补型阻变存储器,包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元;电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层;其中,当电化学金属化存储单元处于高阻态时,向活性电极层施加“...
杜刚李涛王超曾中明张宝顺
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阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器,包括依次叠层设置于衬底上的第一电极、阻变材料层、第二电极,还包括间隔形成于第一电极与阻变材料层界面处或/和第二电极与阻变材料层界面处的导电凸起阵列。该阻变存储器通过在第一电极或/和第二电极与阻...
杜刚王超李涛曾中明张宝顺
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阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器,包括依次叠层设置于衬底上的第一电极、阻变材料层、第二电极,还包括间隔形成于第一电极与阻变材料层界面处或/和第二电极与阻变材料层界面处的导电凸起阵列。该阻变存储器通过在第一电极或/和第二电极与阻...
杜刚王超李涛曾中明张宝顺
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提升阻变存储器稳定性的方法及其应用
本发明公开了一种提升阻变存储器稳定性的方法及其应用。该方法包括:提供在阻变存储器用作阻变材料的金属氧化物薄膜;将一个以上导电AFM悬臂与所述金属氧化薄膜接触;在该一个以上导电AFM悬臂与金属氧化物薄膜之间施加设定电压,从...
王志勇杜刚曾中明
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具有非极性特征和稳定阻变性能的ZrO2基非易失性阻变随机存储器
为了研究掺杂活性金属原子对器件阻变性能的影响,我们设计了中间插入3nm Cu层的器件结构并在高温氮气氛围下进行快速退火处理。在退火后的ZrO2基阻变存储器中,发现了典型的非极性阻变特性。这种非极性阻变特性并不常见,曾出现...
王超杜刚曾中明
关键词:非极性XRDXPS
共1页<1>
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