马航
- 作品数：13 被引量：30H指数：3
- 供职机构：北京信息科技大学自动化学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金北京市重点学科建设基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响被引量：3
- 2017年
- 针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED样品。Alq_3厚度由25 nm逐步递增至45 nm时,器件的开启电压升高,器件均发出量子点的红光。当Alq_3厚度为30nm时,器件的电流效率最高。此时,空穴和电子在量子点层的注入速率达到相对平衡。为进一步研究器件的发光特性,在QDs和Alq_3接触界面嵌入电子阻塞层TPD。研究发现,当TPD的厚度为1 nm时,器件发出红光;当TPD厚度为3 nm和5 nm时,器件开始出现绿光。实验结果表明,在选取电子阻塞层时,应选择LUMO较低的材料且阻塞层的厚度必须很薄。
- 马航李邓化陈雯柏叶继兴
- 关键词：厚度能级电流密度亮度电流效率
- 量子点发光二极管功能层厚度确定方法被引量：2
- 2017年
- 为改善量子点发光二极管器件载流子注入平衡,提出一种量子点发光二极管各功能层厚度的确定方法.首先选定量子点发光层厚度,基于隧穿模型进行仿真分析确定电子传输层厚度;然后采用空间电荷限制电流模型进行仿真分析确定空穴传输层厚度.采用CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层、Alq_3作为电子传输层,按照该方法仿真分析得到各功能层厚度进行旋涂-蒸镀法实物器件制备.对比实验结果表明:当poly-TPD、QDs及Alq_3厚度分别为45nm、25nm及35nm时,获得了较高的发光效率及色纯度,器件性能最好.该方法确定的各功能层厚度有助于减少载流子在发光界面积累,获得载流子的注入平衡,从而改善QLEDs发光性能.
- 陈雯柏叶继兴马航李邓化
- 关键词：空穴传输层发光层电子传输层
- 氧化锌作为电子传输层的量子点发光二极管被引量：6
- 2017年
- 为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品。在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真分析了载流子在量子点(QDs)层的电流密度。研究发现,当ZnO厚度为50 nm时,poly-TPD的理论最优厚度为40 nm,载流子在QDs层的注入达到相对平衡。通过测试器件的电流密度-电压-亮度-发光效率特性,研究了空穴传输层厚度对QLED器件性能的影响。实验结果表明,当空穴传输层厚度为40 nm时,器件的开启电压为1.7 V,最大发光效率为1.18 cd/A。在9 V电压下,器件最大亮度达到5 225 cd/m^2,远优于其他厚度的器件。实验结果与仿真结果基本吻合。
- 马航李邓化陈雯柏叶继兴
- 关键词：电流密度亮度电流效率
- 量子点电致发光器件发光层能级变化与驱动电压的关系研究被引量：3
- 2015年
- 以量子点电致发光器件(QLED)中能级分布和载流子浓度的关系为理论基础,研究了QLED发光层能级变化与驱动电压的关系,建立了数学模型。以CdSe/ZnS核壳结构量子点为发光层,计算了器件正常发光时的阈值电压,分析了电流密度与量子点中电子准费米能级与空穴准费米能级之差的关系。结果表明,当驱动电压大于9.8V时,CdSe/ZnS中电子的准费米能级与空穴的准费米能级之差大于1.03eV,量子点电致发光器件正常发光;理论模型证实由于电子在发光层与电子传输层界面的大量积聚,导致淬灭发生,降低发光效率。
- 高慧李邓化伊丽娜马航
- 关键词：量子点电致发光器件阈值电压费米能级
- 一种无线传感器网络最小级联移动修复方法被引量：5
- 2021年
- 针对复杂应用场景中无线传感器网络节点失效导致的连通性故障问题,提出了一种最小级联移动的修复方法.当网络中某节点发生失效时,通过割点检测算法判断该失效节点是否对网络连通性造成影响.若该失效节点为割点,则认为该节点对网络连通性影响较大,需要对网络进行修复.该失效节点的邻居节点间距离若小于等于节点通信半径,通过邻居节点间直接建立通信链路的方式对网络进行修复.该失效节点的邻居节点间距离若大于节点通信半径,利用节点度与节点间欧式距离选举最佳候选节点,通过通信半径与邻居节点位置计算其待移动位置,最佳候选节点移动到位置后与其他邻居节点建立通信链路.实验结果表明,该方法能够有效对节点失效后的网络进行修复.该方法在修复过程中减少了修复节点的移动距离,降低了修复节点的能量损耗,延长了网络寿命.
- 吴昊陈雯柏郝翠郝翠
- 关键词：无线传感器网络
- 一种基于混合量子点的橙光量子点LED制备
- 2017年
- 为研究混合量子点(QD)发光二极管(QLED)的性能,利用红、绿量子点混合作为发光层,制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/QDs(红、绿1∶1混合)/ZnO/Al的橙光QLED,并与结构为ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/QDs(红光)/ZnO/Al的红光QLED进行了对比。实验结果表明,基于红、绿QD混合的橙光QLED的制备方法是有效的,制备的橙光QLED电流密度和亮度均小于红光QLED,但电流效率远大于红光QLED。研究发现,器件性能与各功能层能级以及厚度密切相关,应通过选取适当能级的发光层材料,将注入的空穴以及电子同时限制在发光层内从而提高器件的电流效率,并调节各功能层厚度使得载流子注入平衡从而提高器件性能。
- 陈雯柏叶继兴李邓化马航
- 关键词：能级载流子
- 一种结合注意力机制的IGBT失效预测方法研究被引量：1
- 2023年
- 针对IGBT的可靠性分析问题,提出一种长短时记忆网络和卷积神经网络为骨干网络的深度学习模型,将其应用于IGBT失效预测。模型中,引入的注意力机制给予不同维度的特征的重要作用部分更大的权重,以加强重要信息的影响。同时,网络结构的交叉连接充分挖掘不同层级的特征,融合的多层级特征提升了模型的泛化性与鲁棒性。在美国国家宇航局的IGBT加速老化数据集上进行验证,结果表明:相比于当前的主流模型,注意力机制以及交叉连接2种方案预测准确率的均方根误差分别提升1.27%和0.78%。基于此,进一步提出基于注意力机制与带有跳连结构LSTM-CNN相融合的网络模型,预测准确率的均方根误差提升2.68%。结论表明:在IGBT的失效预测中,注意力机制与交叉连接分别从不同的角度提升模型的泛化性与鲁棒性,充分表明所提方法的有效性。
- 蒋闯艾红陈雯柏刘辉翔马航
- 关键词：绝缘栅双极晶体管卷积神经网络
- 量子点发光二极管中载流子注入机理的研究被引量：3
- 2016年
- 针对量子点(QDs)发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对载流子的注入机理进行了研究。在隧穿注入和空间电荷限制电流(SCLC)模型的基础上,仿真分析了空穴和电子在QDs层的注入情况,制备了QLED的样品。CdSe/CdS作为QDs层,PEDOT:PSS作为空穴注入层(HIL),TPD作为空穴传输层(HTL),Alq3作为电子传输层(ETL)。优选的QDs层厚为25nm时,确定了TPD和Alq3的理论最优厚分别为48和22nm。研究发现,当驱动电压低于6.5V时,隧穿注入电流在载流子的传输过程中起主导作用;高于6.5V时,SCLC在载流子的传输过程中起主导作用。实验结果表明,当Alq3厚为20nm时,器件发出QDs的红光,随着Alq3厚度的增加,器件开始出现绿光,实验结果与仿真结果基本吻合。研究结果对QLED的制备具有理论借鉴意义。
- 马航李邓化陈雯柏叶继兴
- 关键词：能级电流密度
- 混合量子点QLED结构性能研究被引量：1
- 2017年
- 为研究基于混合量子点的QLED结构与性能,利用红光量子点以及绿光量子点两种材料制备了橙光QLED器件,并对其性能进行了表征。实验制备的器件结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/混合QDs/Zn O/Al,其中发光层采用了3种混合量子点的混合结构方案。方案一先旋涂红光量子点层,后旋涂绿光量子点层;方案二先旋涂绿光量子点层,后旋涂红光量子点层;方案三将红光、绿光量子点1∶1混合后制备为发光层。实验结果表明:方案一制备的器件电流密度最大,发光亮度最低,且只有红光谱;方案二制备的器件具有最小的电流密度,同时具有红、绿光谱,在8 V电压下,电流效率约为4.69 cd/A;方案三制备的器件同时具有红、绿光谱,电流密度与发光特性介于方案一与方案二之间。实测数据与理论分析是一致的,方案二制备的器件存在双能量陷阱,能够将注入的空穴以及电子同时限制在红光量子点层内。通过调节各功能层厚度使得载流子注入平衡,可进一步增大发光电流,提高器件效率。
- 陈雯柏叶继兴马航李邓化
- 量子点发光器件的制备与仿真分析被引量：1
- 2017年
- 为研究量子点发光器件结构与性能的关系,制备了以CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层,Alq_3作为电子传输层的量子点发光二极管,对器件结构及性能参数进行了表征,结果显示器件具有开启电压低、色纯度高等特点。结合测试数据,对量子点发光二极管进行了器件结构建模,利用隧穿模型及空间电荷限制电流模型对实验结果进行了分析,研究了器件中载流子的注入与传输机理。器件测试与仿真结果表明:各功能层厚度会影响载流子在量子点层的注入平衡,同时器件中载流子的注入与传输存在一转变电压,当外加电压低于转变电压时,器件中载流子的注入主要符合隧穿模型;当外加电压高于转变电压时,器件中载流子的注入主要符合空间电荷限制电流模型。研究结果验证了器件结构建模的合理性,可以利用仿真的方法进行器件结构优化并确定相关参数,这对器件性能的提高具有指导意义。
- 陈雯柏叶继兴伊丽娜李邓化马航
- 关键词：载流子
