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张亚萍

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:北京科技大学应用科学学院物理系更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇导体
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇半导体
  • 1篇氧化铜
  • 1篇氧化物
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇稀磁半导体薄...
  • 1篇稀磁半导体材...
  • 1篇锰掺杂
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇半导体材料
  • 1篇RKKY
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇北京科技大学

作者

  • 2篇潘礼庆
  • 2篇张亚萍
  • 1篇赵雪丹
  • 1篇邱红梅
  • 1篇赵凡

传媒

  • 2篇材料导报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性被引量:1
2007年
采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中。通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1_(μB)。这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替住的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合。
赵凡张亚萍潘礼庆HAO Zhu邱红梅赵雪丹John Q.Xiao
关键词:氧化铜稀磁半导体掺杂
氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展被引量:2
2009年
以氧化物宽禁带半导体为基体,通过掺杂磁性元素,可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体,利用这些铁磁性半导体,能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上,构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用,近年来受到广泛的关注。简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况;分析了制备条件对其磁性的可能影响;重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型,包括双交换机制、磁极化子模型、RKKY模型等;比较了2种磁极化子理论模型,并对这些模型的适用范围进行了分析讨论。另外,还介绍了该体系微结构和磁结构的一些检测方法以及与磁性相关的输运性质、反常霍尔效应等。
张亚萍潘礼庆
关键词:RKKY输运性质
共1页<1>
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