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杨静

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇热退火
  • 1篇快速热退火
  • 1篇NI/AU
  • 1篇P-GAN

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇陈平
  • 1篇何晓光
  • 1篇吴亮亮
  • 1篇江德生
  • 1篇乐伶聪
  • 1篇赵德刚
  • 1篇李晓静
  • 1篇刘宗顺
  • 1篇李亮
  • 1篇杨静

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响被引量：1
2013年
研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响.采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率.结果表明,较适宜的退火温度为500 C左右,退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大;较适宜的退火气氛为适量含氧的氮气气氛,且氧气含量对比接触电阻率大小的影响并不显著.经过对退火条件的优化,得到的比接触电阻率可达7.65×10 4·cm2.
李晓静赵德刚何晓光吴亮亮李亮杨静乐伶聪陈平刘宗顺江德生
关键词：P-GAN欧姆接触快速热退火
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共1页<1>
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