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刘昌林

作品数：9 被引量：10H指数：2
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术天文地球更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇天文地球

主题

  • 5篇CCD
  • 3篇红外
  • 2篇电荷耦合
  • 2篇电荷耦合器
  • 2篇电荷耦合器件
  • 2篇探测器
  • 1篇电路
  • 1篇动态范围
  • 1篇读出电路
  • 1篇多光谱
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇晕结构
  • 1篇射线
  • 1篇时间延迟积分
  • 1篇锑化铟
  • 1篇图像
  • 1篇图像传感器
  • 1篇微光
  • 1篇离子刻蚀

机构

  • 9篇重庆光电技术...
  • 1篇西安邮电学院
  • 1篇中国科学院

作者

  • 9篇刘昌林
  • 3篇汪朝敏
  • 3篇廖乃镘
  • 2篇李金
  • 2篇李仁豪
  • 1篇陈勇
  • 1篇熊平
  • 1篇武利翻
  • 1篇王颖
  • 1篇陈红兵
  • 1篇邓光华
  • 1篇杨文宗
  • 1篇汪建平
  • 1篇吴琼瑶
  • 1篇曲鹏程
  • 1篇罗春林
  • 1篇江海波
  • 1篇阙蔺兰
  • 1篇王小东
  • 1篇岳志强

传媒

  • 7篇半导体光电
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇光电子

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2007
  • 1篇2000
  • 1篇1991
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
长波HgCdTe红外焦平面列阵
1991年
概述了以 Hg_(1-x)Cd_xTe 体材料和双异质结构外延材料为衬底,采用平面工艺研制成两种不同结构的光伏二极管列阵与用 MOS 工艺制作的信号处理器互联而成的8×8长波红外焦平面列阵。它的响应波长已达到10μm,D~*大于2×10~9cmHz^(1/2)W^(-1),非均匀性小于50%,R_0一般大于200kΩ,个别达到1MΩ以上。
杨文宗邓光华刘昌林
关键词：红外焦平面
近红外增强CCD成像器件研究被引量：1
2021年
阐述采用背照式CCD工艺,制备一种新型的近红外增强CCD。相比较传统的近红外增强CCD(增加外延层厚度),基于反应离子刻蚀法在该器件背面进行了黑硅制作,在紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2500nm)都具有高吸收率,可以增强CCD近红外响应灵敏度。结果表明,在400~1060nm波长范围内,黑硅反射率小于7%,吸收率大于93%。黑硅CCD近红外响应得到增强,与常规CCD相比,在波长950~1060nm的量子效率分别从34%和1%提高到41.8%和16.1%。
曲鹏程陈清华吴琼瑶廖乃镘岳志强廖晓航刘昌林
关键词：反应离子刻蚀
总剂量辐照效应模型在TDI-CCD器件中的应用
2014年
介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型,研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用,并通过不同剂量60Coγ辐照试验,验证了该模型在TDI-CCD器件抗辐射加固设计中的应用价值。
吕玉冰王颖汪朝敏李金刘昌林
横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器被引量：4
2019年
时间延迟积分电荷耦合器件(TDI CCD)主要应用于弱光信号探测,其在强光应用场合容易出现弥散现象。针对该问题,研制了横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器。该器件包含四个多光谱段(B1～B4区),有效像元数为3 072元,像元尺寸为28μm×28μm。大像元可以在弱光环境下提供良好的光谱区分能力,通过滤光片可获得蓝光、绿光、红光和近红外波段的图像。为了减小抗弥散对器件满阱电子数的不利影响,采用了紧凑的抗弥散结构,仅占像元面积的7.1%。器件满阱电子数为500ke-,抗弥散能力为100倍,读出噪声小于等于70e-,动态范围大于等于7143∶1。
廖乃镘刘绪化刘昌林张明丹李仁豪李金何达
关键词：时间延迟积分电荷耦合器件多光谱图像传感器
高时间分辨X射线探测器的研制
2020年
在核科学、深空探测、脉冲星导航等领域需要探测X射线光子,识别其能量大小及到达探测器的时间。探测器对X射线到达时间的分辨精度关系到脉冲星导航精度,以及对一些频率较高的脉冲星的利用,是器件的关键指标,对探测面积较大的探测器来说,采用普通的帧转移结构,典型时间分辨精度约为20 ms,不能满足要求。高时间分辨X射线探测器采用新型结构,做有128 ×128个探测区,单个探测区包括8个CCD单元,CCD单元尺寸为14 μm ×102 μm。各探测区的信号通过CCD转移“汇集”后以“并联”的方式同时到达输出端。当器件以典型频率500 kHz工作时,器件的时间分辨精度为16 μs,测得能量分辨率为130 eV@5.9 keV。器件工作时X射线的光子数很少,X射线光子信号的叠加是小概率事件,在统计时忽略不计。
汪朝敏陈勇王小东何达刘恋李博乐刘昌林
关键词：探测器X射线CCD
CCD纵向抗晕结构研究被引量：3
2007年
建立了电荷耦合器件(CCD)纵向抗晕结构模型,运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参数对CCD纵向抗晕能力的影响,得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
武利翻刘昌林陈红兵汪建平熊平
关键词：CCD光晕
大动态高灵敏1024×1024 EMCCD研制
2023年
随着硅材料质量的提升和半导体工艺技术的发展,低温制冷下电荷耦合器件(CCD)的暗电流已经可以忽略,此时放大器成了主要的噪声源,限制了对微弱信号的检测。采用电子倍增技术,通过对电荷包在进入输出节点前进行放大,可有效抑制放大器的噪声。然而,电荷包放大后容易饱和,会限制器件的动态范围。本研究采用浮置栅放大器对电荷包进行无损检测。根据检测结果,大的电荷包直接输出,小的电荷包通过电子倍增放大后再输出,获得高灵敏度的同时兼顾了大的动态范围。根据实际测试结构,在10^(-4)Lx光照下得到了良好的微光成像效果,同时动态范围可达15万倍。
汪朝敏尹俊江海波王廷栋刘昌林丁劲松
关键词：CCDEMCCD微光动态范围高灵敏
64×64元InSb阵列CMOS读出电路被引量：1
2000年
根据 6 4× 6 4元InSb红外探测器对读出电路的要求 ,运用电路模拟和CAD技术 ,设计并研制了以X -Y寻址方式的 6 4× 6 4元InSb红外探测器用信号读出电路。文章重点介绍了6 4× 6 4元InSb阵列CMOS读出电路的工作原理和设计考虑。
刘昌林李仁豪
关键词：读出电路CMOS红外探测器锑化铟
CCD多晶硅层间复合绝缘介质研究被引量：1
2019年
电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。
廖乃镘刘昌林张明丹寇琳来罗春林阙蔺兰
关键词：绝缘介质多晶硅电荷耦合器件
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