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苗挂帅

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：周口师范学院物理系更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇吸附能
  • 1篇结构参数
  • 1篇SI(001...
  • 1篇SIH

机构

  • 1篇郑州大学
  • 1篇周口师范学院

作者

  • 1篇文黎巍
  • 1篇杨仕娥
  • 1篇周俊敏
  • 1篇贾瑜
  • 1篇苗挂帅

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiH_4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究被引量：2
2010年
用第一性原理密度泛函理论研究SiH4在Si(001)-(2×1)表面的分裂吸附及吸附后的结构、能量和成键特性,计算了反应物、过渡态及生成物三个状态的能量,吸附能和反应能。计算结果表明:SiH4在Si(001)-(2×1)重构表面吸附的可能反应路径是由于SiH4中Si-H键的拉长和二聚体键的断裂导致的,形成产物Si(001)-(2×1)(SiH3∶H);由SiH4分裂的能量势垒0.78 eV说明所推测的反应路径是合理的。
文黎巍周俊敏苗挂帅贾瑜杨仕娥
关键词：第一性原理吸附能结构参数
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