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黄书璘

作品数:5 被引量:4H指数:1
供职机构:重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文基金:重庆市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇太赫兹
  • 4篇赫兹
  • 3篇锑化铟
  • 2篇太赫兹辐射
  • 2篇激光
  • 2篇激光物理
  • 2篇INSB
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇亚胺
  • 1篇异向介质
  • 1篇双频
  • 1篇双频段
  • 1篇太赫兹波
  • 1篇频段
  • 1篇左右手传输线
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇相对介电常数
  • 1篇滤波器

机构

  • 5篇重庆邮电大学

作者

  • 5篇潘武
  • 5篇黄书璘
  • 4篇李亭亭
  • 4篇李国新
  • 1篇张红林
  • 1篇田海燕

传媒

  • 2篇激光技术
  • 1篇激光与红外
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
聚酰亚胺衬底中双频段太赫兹异向介质特性研究被引量:1
2012年
将两种不同结构的异向介质同时嵌在聚酰亚胺衬底中,在太赫兹波段实现了两个不同的谐振频率响应。分析了不同衬底厚度对谐振特性的影响。结果表明,当衬底厚度为30μm时,两个结构会相互影响,从而使谐振幅度和谐振频率有所改变;当衬底厚度增加到100μm时,两个谐振点谐振特性彼此独立,互不影响。
潘武李亭亭李国新黄书璘
关键词:太赫兹异向介质聚酰亚胺相对介电常数
InSb光电导太赫兹辐射理论研究
2013年
为了研究锑化铟(InSb)半导体材料的光电导太赫兹辐射过程,推导了太赫兹近场辐射公式。在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下,分析了InSb光生载流子浓度、载流子散射率以及光电导表面反射率随时间的变化。结果表明,数值模拟与文献中的实验曲线变化趋势一致,计算结果吻合,证明了该研究方法的正确性。
潘武黄书璘李亭亭李国新
关键词:激光物理太赫兹辐射锑化铟
InSb光电导太赫兹源材料性质及辐射场研究
2015年
为了研究锑化铟(In Sb)半导体材料光电导太赫兹辐射过程,用数值计算方法分析材料内载流子迁移率和表面电流,以及不同性质抽运激光器对太赫兹波近场强度的影响,用宏观电磁场理论和微观半导体理论分析材料表面电流,比较了In Sb和Ga As材料的太赫兹波功率谱曲线。结果表明,In Sb材料载流子弛豫时间越长,载流子迁移率越大;表面电流与载流子寿命和弛豫时间成正比;宏观电磁场理论更适于分析表面电流;抽运激光饱和能量密度越大,太赫兹近场辐射强度越强;抽运激光脉冲宽度越短,太赫兹近场辐射强度越强;In Sb光电导辐射太赫兹波功率比Ga As高。该结果为基于In Sb光电导太赫兹辐射源的研究奠定了一定的基础。
潘武张红林徐政珂黄书璘
关键词:激光物理太赫兹辐射
InSb材料光电导辐射太赫兹波理论研究被引量:1
2013年
分析基于光电导理论的太赫兹(THz)辐射原理,对基于锑化铟(InSb)半导体材料的光电导辐射过程进行理论推导,并获得太赫兹近远场辐射等参数。利用有限时域差分(FDTD)方法分析空域太赫兹波的传播过程,得到不同时刻太赫兹波传播的三维效果图。理论研究结果与文献实验数据较好吻合,证明研究方法的正确性。
潘武黄书璘李国新李亭亭田海燕
关键词:太赫兹锑化铟
基于CRLH TL结构的带通滤波器设计与研究被引量:2
2013年
基于复合左右手传输线(CRLH TL)原理,利用微带与共面波导组合的双层介质结构,设计了一种新型带通滤波器.其等效左手电容由金属-绝缘体-金属(MIM)耦合结构提供,等效左手电感由蘑菇型零阶谐振器(MZOR)中的短路通孔实现.通过研究MZOR中U型槽长度变化对滤波器性能的影响得知,该带通滤波器具有结构紧凑,带宽较大,插入损耗较小等优点.HFSS仿真结果显示,滤波器的通带为3.4~7.2 GHz,通带内插入损耗低于-0.5 dB,回波损耗小于-11.5 dB.因此,该滤波器可应用于超宽带无线通信系统.
潘武李国新李亭亭黄书璘
关键词:复合左右手传输线带通滤波器
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