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刘杰

作品数:61 被引量:34H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 44篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 29篇等离子体
  • 26篇离子注入
  • 20篇等离子
  • 19篇等离子体浸没...
  • 12篇离子
  • 9篇电池
  • 8篇电极
  • 7篇太阳能电池
  • 7篇封装
  • 7篇薄膜封装
  • 6篇金属背电极
  • 6篇浸没
  • 6篇基片
  • 6篇硅片
  • 6篇背电极
  • 6篇处理技术
  • 5篇太阳能
  • 5篇特性参数
  • 5篇浅结
  • 5篇注入机

机构

  • 58篇中国科学院微...
  • 5篇兰州大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 61篇刘杰
  • 52篇李超波
  • 47篇夏洋
  • 34篇汪明刚
  • 27篇李勇滔
  • 16篇刘邦武
  • 13篇陈瑶
  • 13篇赵丽莉
  • 13篇屈芙蓉
  • 9篇刘键
  • 9篇罗小晨
  • 9篇罗威
  • 8篇冷兴龙
  • 7篇沈泽南
  • 7篇夏洋
  • 5篇杨威风
  • 2篇葛世慧
  • 2篇王文东
  • 2篇席力
  • 2篇刘俊标

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇物理学报
  • 2篇兰州大学学报...
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇科技纵览
  • 1篇2010年全...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 6篇2014
  • 11篇2013
  • 13篇2012
  • 12篇2011
  • 9篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种等离子体浸没注入装置
本发明涉及半导体处理技术和设备领域,具体涉及一种等离子体浸没注入装置,包括气源、功率源、工作腔室、基片台和真空系统,所述基片台上方设有栅电极。本发明通过在现有装置中增加栅电极,使基片台上方特别是基片上方的电场分布变成了两...
汪明刚夏洋李超波刘杰李勇滔陈瑶赵丽莉
等离子体浸没离子注入设备
本发明公开了一种等离子体浸没离子注入设备,包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分,所述离子注入腔室内四壁设有内衬,所述内衬由包含硅成分的整块材料制成。通过本发明提出的设备可减小等离子体浸没离子注入时腔室内壁的...
刘杰汪明刚夏洋李超波罗威罗小晨李勇滔
文献传递
等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
2010年
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。
汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋
关键词:感应耦合等离子体ENERGY离子密度二次离子质谱直流电压源
一种发光多孔硅的制备方法
本发明涉及光电子领域,具体的说是一种发光多孔硅的制备方法。制备:将预处理的单晶硅片于I号清洗液中煮至沸腾,取出单晶硅片用热、室温去离子水冲洗;冲洗后在氢氟酸溶液浸泡;浸泡后的单晶硅片于II号清洗液中煮沸2~3分钟,取出单...
刘邦武夏洋刘杰李超波李勇滔王文东汪明刚
等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置
本发明公开了一种等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置,属于微电子技术领域。所述装置包括用于诊断等离子体离子密度、电子密度、等离子体电势与等离子体电子温度等特性参数的诊断单元;用于获得等离子体中粒子组分和各组分粒子...
汪明刚刘杰夏洋李超波陈瑶赵丽莉李勇滔
全自动荧光粉涂覆工艺及设备研究
2013年
自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统。针对涂覆工艺,研究了有无真空搅拌除泡装置对荧光粉涂覆效果的影响,结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层厚度均匀性较差,且涂覆层中有明显的气泡,气泡直径可达1mm;经过真空搅拌除泡处理后涂覆层厚度均匀性好且涂覆层中无气泡。利用LED光学参数综合测试仪分析了有无真空搅拌除泡装置对LED发光特性的影响,结果发现真空搅拌除泡工艺能明显提升LED光谱色度一致性。
刘杰刘键冷兴龙屈芙蓉刘俊标吴茹菲
关键词:LED
一种用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置
本发明公开了一种用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置,该装置包括一个用于将收集到的离子流转化成电信号的法拉第杯和一个为该法拉第杯安装提供支撑的保护环。法拉第杯由杯身和杯口构成,杯身具有三层结构,在电性上分别是外导电层...
汪明刚刘杰夏洋李超波陈瑶赵丽莉
文献传递
一种薄膜封装方法
本发明涉及一种薄膜封装方法,包括如下步骤:通过PECVD方法沉积有机功能层;通过脉冲流量PECVD方法沉积无机功能层,所述脉冲流量PECVD方法是将PECVD方法中的前驱体通过脉冲输入方式输入;沉积若干有机功能层和无机功...
刘杰刘键冷兴龙屈芙蓉李超波夏洋
文献传递
一种异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池制备技术领域。所述太阳能电池包括金属栅电极、导电薄膜、非晶硅薄膜、黑硅层、晶硅和金属背电极;金属背电极位于晶硅的背面,黑硅层位于晶硅上,非晶硅薄膜位于黑硅层上,...
夏洋刘邦武沈泽南李超波刘杰李勇滔
一种等离子体浸没注入装置
本发明涉及半导体处理技术和设备领域,具体涉及一种等离子体浸没注入装置,包括气源、功率源、工作腔室、基片台和真空系统,所述基片台上方设有栅电极。本发明通过在现有装置中增加栅电极,使基片台上方特别是基片上方的电场分布变成了两...
汪明刚夏洋李超波刘杰李勇滔陈瑶赵丽莉
文献传递
共7页<1234567>
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