您的位置: 专家智库 > >

汪飞

作品数:5 被引量:8H指数:2
供职机构:湖南大学信息科学与工程学院(软件学院)更多>>
发文基金:长沙市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇超高频
  • 4篇混频
  • 4篇混频器
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇低噪声放大器
  • 3篇读写
  • 3篇读写器
  • 3篇射频识别
  • 3篇放大器
  • 2篇射频
  • 2篇射频前端
  • 2篇功耗
  • 2篇RFID读写...
  • 1篇电感
  • 1篇电感值
  • 1篇电路
  • 1篇动态电流
  • 1篇射频接收
  • 1篇射频前端电路

机构

  • 5篇湖南大学

作者

  • 5篇汪飞
  • 4篇王春华
  • 4篇何海珍
  • 2篇易波
  • 2篇袁超
  • 2篇许静
  • 2篇郭胜强
  • 2篇张秋晶
  • 2篇郭小蓉

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2011
  • 4篇2010
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
超高频RFID读写器中的工作频率可调的低噪声放大器
本发明涉及一种中心频率可调的超高频RFID读写器中的低噪声放大器,通过在输入端采用二阶交调电流注入结构以提高线性度;而在输出端采用开关电容的结构实现中心工作频率可调。二阶交调电流注入结构是通过对MOS管的非线性特性进行分...
王春华汪飞袁超郭胜强许静张秋晶何海珍郭小蓉易波
文献传递
一种新型900 MHz下混频器的设计被引量:2
2010年
设计了一种用于超高频射频识别(UHF RFID)读写器的新型低功耗、低噪声、高线性度900 MHz下混频器。在输入端采用2阶交调注入结构,以提高线性度;在输出端采用动态电流注入结构,获得了很好的噪声特性,且具有很高的增益。采用Chartered 0.18 μm标准CMOS模型对电路进行仿真,电路的供电电压为1.2 V。仿真结果表明,设计的900 MHz下混频器增益为11dB,IIP3为-3.5 dBm,噪声为11 dB。
汪飞王春华何海珍
关键词:超高频射频识别混频器
超高频射频识别读写器射频接收前端电路设计
本文提出了一种新型的超高频射频识别读写器中的射频接收前端电路。首先介绍了射频识别系统的发展现状及特点、超高频射频识别系统的发展现状及特点和超高频射频识别读写器的发展现状及特点;然后介绍了超高频射频识别读写器中的射频前端电...
汪飞
关键词:射频前端电路低噪声放大器混频器
文献传递
超高频RFID读写器中的高线性度低噪声下混频器
本发明提出了一种面向超高频RFID读写器的下混频器,该混频器涉及一种基于Gilbert结构的具有高线性度混频器。通过在输入端采用二阶交调电流注入结构,以提高线性度;在输出端采用动态电流注入结构,从而降低噪声。二阶交调电流...
王春华汪飞袁超郭胜强许静张秋晶何海珍郭小蓉易波
文献传递
一种新型超高频射频识别射频前端电路设计被引量:4
2011年
设计了一种低功耗高线性度的新型超高频射频识别射频前端电路.在LNA的设计中,通过在输入端采用二阶交调电流注入结构以提高线性度,在输出端采用开关电容结构以实现工作频率可调;在混频器的设计中,在输入端采用同LNA相同的方法以提高线性度,而在输出端采用动态电流注入结构以降低噪声.该电路采用0.18μmCMOS工艺,供电电压为1.2V,仿真结果如下:输入阻抗S11为-23.98dB,IIP3为5.05dBm,整个射频前端电路的增益为10dB.
汪飞王春华何海珍
关键词:超高频射频识别射频前端混频器版图
共1页<1>
聚类工具0