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高功率MPCVD金刚石膜红外光学材料制备被引量：2: 2013年; 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置，以H2-cH4为气源，就高功率条件下cH4浓度对金刚石膜的生长速率和品质的影响规律进行了研究，并在此基础上进行了大面积光学级金刚石膜的沉积。利用扫描电镜、激光拉曼谱仪、傅里叶红外光谱仪对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质、红外透过率等进行了表征。实验结果表明，使用自行设计建造的椭球谐振腔式MPCVD装置在高功率条件下通过提高cH4浓度会使金刚石膜的生长速率增加，但当CH。浓度达到一定比例后．金刚石膜的生长速率将不再继续提高。cH4浓度在0．5％～2％时制备的金刚石膜品质较高；自行设计建造的椭球谐振腔式MPCVD装置能够满足在较高功率下光学级金刚石膜的快速沉积要求．; 于盛旺安康李晓静申艳艳宁来元贺志勇唐宾唐伟忠; 关键词：高功率生长速率

用于化学气相沉积金刚石膜的高功率微波等离子体反应装置: 本发明为一种用于化学气相沉积金刚石膜的高功率微波等离子体反应装置，包括圆柱形谐振腔体，圆柱形谐振腔体分为上、中、下腔体，其中中腔体的直径最小；上腔体的腔顶为圆锥形且上腔体内安装有圆环状石英微波窗口和圆盘状耦合天线；下腔体...; 于盛旺高洁黑鸿君刘小萍安康贺志勇; 文献传递

Ti-6Al-4V表面等离子渗锆及锆合金层的性能被引量：4: 2014年; 目的通过等离子表面合金化渗锆,提高Ti-6Al-4V的表面硬度及在还原性酸中的耐蚀性能。方法分别在800,850,900℃渗锆,分析研究锆合金层的成分、相组成、显微硬度及在为10%(质量分数)H2SO4溶液中的腐蚀行为,并与未处理的基材进行对比。结果 Ti-6Al-4V在三种温度下渗锆后,形成的表面合金层主要由锆在α-Ti或β-Ti中形成的固溶体组成,元素组成呈梯度分布,表面粗糙度随渗锆温度的提高而增加,硬度由表及里呈梯度下降,表面硬度比未处理的Ti-6Al-4V提高了约200HV0.1。与未处理的基材相比,Ti-6Al-4V渗锆后,在10%H2SO4溶液中的自腐蚀电位均正移,钝化电流密度均有所减小。结论 Ti-6Al-4V渗锆后,硬度和耐蚀性较基体有所提高,其中,900℃渗锆后的耐蚀性最好,800℃与850℃渗锆试样的耐蚀性次之。; 陈凯刘小萍范文娟安康邹鹏远姚文苇; 关键词：TI-6AL-4V 耐蚀性

一种CVD金刚石厚膜与硬质合金的焊接方法: 本发明为一种CVD金刚石厚膜与硬质合金的焊接方法，首先使用双辉等离子体渗金属设备对CVD金刚石厚膜生长面进行金属化处理，然后再使用同一台设备将金属化后的面与硬质合金基片钎焊在一起。本发明通过双辉等离子渗金属技术使金属原子...; 于盛旺高洁申艳艳黑鸿君宁来元安康贺志勇; 文献传递

一种彩色不锈钢薄膜的制备方法: 本发明公开了一种彩色不锈钢薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)工艺设备：选择超高真空多功能磁控溅射仪；(2)靶材选择：不锈钢；(3)基材选择：普通碳钢或合金钢；(4)溅射不锈钢薄膜；(5)着色处理。本发明通过溅射镀膜技术...; 刘小萍张海军王文波陈凯范文娟安康邹鹏远; 文献传递

Ti6Al4V表面等离子渗Zr合金层的摩擦磨损性能研究被引量：3: 2015年; 利用双辉等离子渗金属技术,对Ti6A14V合金进行等离子渗Zr处理,在其表面形成渗Zr合金层来改善钛合金的耐磨性能。用SEM、EDS及显微硬度计研究了渗Zr合金层的组织形貌、成分分布及硬度变化;对渗Zr处理及未处理的Ti6A14V基材进行了往复球一盘摩擦磨损试验,用SEM、EDS及轮廓仪对比分析了Ti6A14V渗Zr前后在不同载荷下的摩擦学性能。结果表明:在Ti6A14V表面形成的Zr合金层厚度约40μm,组织均匀致密;渗Zr后的表面硬度比未处理的提高了200 HV。渗Zr后的Ti6A14V在2N和5N载荷下的平均摩擦系数分别为0.25和0.15,比未处理基材的摩擦系数减少了0.2和0.1,比磨损率分别是Ti6A14V基材的48%和56%,说明钛合金渗Zr后其减摩和耐磨性能均得到改善。Zr的固溶强化作用是Ti6A14V渗Zr后耐磨性得以改善的主要原因。; 范文娟陈凯安康邹鹏远刘小萍; 关键词：TI6A14V

新型高功率MPCVD金刚石膜装置的数值模拟与实验研究被引量：8: 2015年; 根据高功率MPCVD装置所需要具备的条件,提出一种新型的高功率MPCVD装置结构。先使用HFSS软件对模型的各部分尺寸进行了初步优化;然后使用COMSOL软件通过对高功率、高气压条件下气体电离形成等离子体时的电场和等离子体分布的模拟,并对气体进出方式进行了验证;最后根据模拟结果建立了新型MPCVD装置,并使用所制造的装置在高功率、高气压条件下进行了大面积金刚石膜的制备。结果表明:所提出的高功率MPCVD装置模型经过结构优化后,在基片上方对电场具有较好的聚焦能力,强度高于同类装置;高功率、高气压条件下所产生的等离子体也仅在基片上方均匀分布,与石英环之间被中间腔体隔离,有效避免其对石英环的刻蚀;所设计的进出气方式能够保证反应气体在基片表面均匀分布;使用所制造的装置能够在高功率、高气压条件下实现大面积高品质金刚石膜的快速沉积。; 安康刘小萍李晓静钟强申艳艳贺志勇于盛旺; 关键词：金刚石膜高功率数值模拟

用于化学气相沉积金刚石膜的高功率微波等离子体反应装置: 本发明为一种用于化学气相沉积金刚石膜的高功率微波等离子体反应装置，包括圆柱形谐振腔体，圆柱形谐振腔体分为上、中、下腔体，其中中腔体的直径最小；上腔体的腔顶为圆锥形且上腔体内安装有圆环状石英微波窗口和圆盘状耦合天线；下腔体...; 于盛旺黑鸿君刘小萍安康高洁贺志勇; 文献传递

新型高功率MPCVD金刚石膜装置模拟及实验研究: 化学气相沉积(CVD)高品质的金刚石膜具有优异的物理、化学和机械性能，因此在许多高技术领域有着广阔的应用前景。微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法是制备高品质金刚石膜的首选方法，但是由于沉积速率低、成本高，导致这种高...; 安康; 关键词：功率密度沉积速率; 文献传递

一种CVD金刚石厚膜与硬质合金的焊接方法: 本发明为一种CVD金刚石厚膜与硬质合金的焊接方法，首先使用双辉等离子体渗金属设备对CVD金刚石厚膜生长面进行金属化处理，然后再使用同一台设备将金属化后的面与硬质合金基片钎焊在一起。本发明通过双辉等离子渗金属技术使金属原子...; 于盛旺高洁申艳艳黑鸿君宁来元安康贺志勇; 文献传递

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安康