王新建
- 作品数：14 被引量：34H指数：3
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：“上海－应用材料研究与发展”基金上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学金属学及工艺更多>>
- 单靶磁控溅射Cu<Sub>1－x</Sub>Cr<Sub>x</Sub>合金薄膜的方法
- 一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu<Sub>1－x</Sub>Cr<Sub>x</Sub>合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶，并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥...
- 王新建姜传海洪波王家敏吴建生
- 文献传递
- Ni-P非晶薄膜晶化相与相变动力学的XRD分析被引量：14
- 2006年
- 用原位XRD技术分析了连续加热过程中电沉积Ni-P薄膜晶化与相变行为．通过定量分析,确定出不同温度下各相的析出量,由此计算出各相的晶化与相变激活能以及晶化结晶度．结果表明, Ni-P非晶薄膜的晶化与相变行为与薄膜中P的含量有关．在晶化过程中出现了四种亚稳相即NiP,Ni2P,Ni12P5及Ni5P2．计算得到:亚稳相NiP,Ni2P及稳定相Ni3P的相变激活能分别为133±15,172±19及190±20 kJ／mol;单个析出相的相变激活能低于Ni-P合金晶化激活能和Ni原子的自扩散激活能．
- 洪波姜传海王新建吴建生
- 关键词：晶化过程激活能结晶度
- 快淬粉爆炸压制Nd-Fe-B永磁体的性能与结构特征
- 2006年
- 利用爆炸压制方法制备的快淬永磁体,其磁性能、压缩强度和密度都比相同粉料制备的粘结磁体有明显提高,其中最大磁能积(BH)max提高了30%,压缩强度bσc增加了40%。扫描电镜观察显示,爆炸压制磁体的粉体颗粒表面出现了局部的熔融区域与大量的微裂纹。借助于场发射扫描电镜进一步观察发现,爆炸样品粉体颗粒表面出现纳米数量级的蜂窝状组织。磁力显微镜观察表明,爆炸压制不仅保持了原始粉末细小的晶粒尺寸,还保持了原始快淬粉细小的磁畴结构,磁体粉体颗粒中存在大量的微裂纹,但是微裂纹对快淬粉爆炸压制磁体的磁性能几乎没有影响。
- 张瓦利刘薇敖琪王新建吴建生
- 关键词：ND-FE-B永磁体微观结构磁畴
- 溅射铜和铜合金薄膜的微观结构与性能
- 随着集成电路制造工艺的发展,铜由于具有低的电阻率和较高的抗电迁移能力而逐渐取代了铝作为互连线材料。当互连线特征尺寸减小到0.5μm以下,相比于互连线材料本身的固有性能,互连线的微观结构对互连线的性能以及可靠性的影响越来越...
- 王新建
- 关键词：热稳定性孪晶电迁移
- 文献传递网络资源链接
- Cr掺杂对Cu/Si(100)薄膜体系的微观结构及电阻率的影响被引量：3
- 2007年
- 利用简易合金靶在Si（100）衬底磁控溅射制备Cu、Cu-1．19％Cr和Cu-2，18％Cr薄膜，研究Cr对Cu薄膜在300-500℃真空退火前后的结构和电阻率的影响。X射线衍射分析表明：Cu及Cu（Cr）薄膜均呈现Cu（111）和Cu（200）衍射峰，并且Cu（Cr）薄膜一直保持较强的（111）织构。原子力显微分析表明：Cu薄膜在500℃退火时，薄膜与硅基底发生明显的互扩散，薄膜表面的致密度及平整度下降：而Cu（Cr）薄膜在退火时保持较高的致密度，Cr显著提高Cu／Si薄膜体系的热稳定性。Cu（Cr）薄膜的电阻率随温度升高先减小而后增加，在400℃及500℃退火30min后分别达到最小值2．76μΩ·cm和2．97μΩ·cm，与纯Cu膜相近（2．55μΩ·cm）。Cu（Cr）薄膜退火电阻率的大幅度减小与薄膜晶粒尺寸的增加以及Cr的扩散有关。适量的Cr掺杂和合理的退火工艺使得Cu（Cr）合金薄膜在高温互连材料方面具有很大的应用前景。
- 王新建刘嘉聪洪波姜传海董显平
- 关键词：织构电阻率
- 单靶磁控溅射Cu1-xCrx（x=1．19～2．37）薄膜的制备被引量：4
- 2006年
- 利用简易合金靶材在Si（100）基底上单靶磁控溅射制备Cu1-xCrx（x=1．19～2．37，摩尔分数，％）薄膜。研究不同名义成分的合金靶材得到的溅射态薄膜的成分、电学性能、组织结构及表面状态。研究结果表明：利用简易合金靶材制备的Cu1-xCrx薄膜成分可控。Cr的加入增强了溅射态薄膜的（111）织构，且随着薄膜厚度的增加，（111）织构增强；855nm厚的Cu-2．37％Cr薄膜的（111）与（200）的峰强比高达8．48；合金元素Cr显著影响溅射态薄膜的表面状态（平整性和致密度）和电阻率；随着Cr含量的增加，前者呈现先升高后下降的趋势，而薄膜电阻增加；Cu-2．18％Cr薄膜由于应力增加局部产生微裂纹，薄膜连续性下降。并从薄膜生长动力学以及自由能的角度对上述结果进行了初步的阐述。
- 王新建姜传海王家敏洪波
- 关键词：磁控溅射织构
- 溅射铜和铜合金薄膜的微观结构与性能——铜互连技术的基础研究
- 随着集成电路制造工艺的发展,铜由于具有低的电阻率和较高的抗电迁移能力而逐渐取代了铝作为互连线材料。当互连线特征尺寸减小到0.5μm以下,相比于互连线材料本身的固有性能,互连线的微观结构对互连线的性能以及可靠性的影响越来越...
- 王新建
- 关键词：热稳定性孪晶电迁移
- 文献传递
- Cr,Mo对Cu/Si(100)薄膜体系结构、电阻率及扩散性能的影响被引量：2
- 2007年
- 利用简易合金靶材在Si（100）基底单靶磁控溅射制备Cu（Cr）、Gu（Mo）薄膜．研究薄膜在300～500℃退火前后的结构、电学及扩散性能的变化．结果表明，Cr、MO的加入增强了Cu薄膜的（111）织构，且溅射态薄膜电阻率显著增加．真空退火后，Cu（200）和Cu（220）衍射峰增强，但薄膜保持较强的（111）织构．Cu（1．19％Cr）薄膜电阻率随温度升高先减小后增加，400℃退火后电阻率最小，为2．76μΩ·cm，接近纯Cu薄膜（2．55μΩ·cm）；而Cu（1．28％Mo）薄膜的电阻率一直呈下降趋势．Cu（1．28%Mo）薄膜在400℃退火30min后，薄膜与Si基底间的互扩散深度约60nm，与纯Cu薄膜（约70nm）相似．而Cu（1．19%Cr）薄膜的互扩散深度较小为30nm．Cr显著减小了Cu、Si之间的互扩散．这与Cr在薄膜／基体界面处的偏聚有关．
- 王新建刘嘉聪董显平姜传海洪波
- 关键词：磁控溅射电阻率织构互扩散
- 钛掺入对Cu/Si(100)及Cu/SiO_2薄膜体系热稳定性的影响被引量：1
- 2008年
- 利用简易合金靶材在Si（100）和SiO2基底上磁控溅射制备了Cu（1.42%Ti）薄膜。研究了少量钛对Cu/Si（100）和Cu/SiO2薄膜体系在573-773 K退火前后的微观组织结构以及界面反应的影响。X射线衍射分析表明，溅射态Cu（Ti）薄膜均呈现Cu（111）和Cu（200）衍射峰，而钛显著增强铜薄膜的（111）织构。对于退火态的Cu（Ti）/Si薄膜体系，由于少量钛在薄膜/基底界面处的存在，起到净化界面作用，促使Cu3Si的形成，从而降低了薄膜体系的热稳定性。但对于Cu（Ti）/SiO2薄膜体系，在773 K退火后，仍然呈现出良好的热稳定性。薄膜截面的结构形貌以及界面处俄歇谱的分析结果都充分证实了上述结果。
- 刘嘉聪王新建董显平吴建生
- 关键词：微观结构净化作用热稳定性
- 电沉积铜薄膜中内应力与织构特征
- 利用 X 射线衍射方法分析了电沉积铜薄膜的内应力及其织构特征。结果表明,随薄膜厚度的增加,薄膜内应力增大：当厚度超过11μm 时,薄膜内应力增幅减缓。另外,电沉积铜薄膜具有较强的(220)丝织构,随着铜薄膜内应力的增加(...
- 洪波姜传海王新建吴建生
- 关键词：XRD内应力织构
