侯肖瑞
- 作品数：10 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程电气工程更多>>
- Tb^(3+),Yb^(3+)共掺Y_2O_3透明陶瓷的制备及其下转换近红外发光研究被引量：4
- 2010年
- 采用真空烧结制备了透明度良好的Tb3+,Yb3+共掺的(Tb0.01Y0.99-xYbx)2O3(摩尔分数x=0,0.02,0.05,0.1)透明陶瓷。在484 nm的蓝光激发下,通过Tb3+离子的敏化作用,实现了Yb3+离子的下转换近红外发光。由Tb3+到Yb3+主要的能量传递机理为:Tb3+吸收484 nm的光子后将所吸收该光子的能量通过合作下转换的方式传递至两个Yb3+离子的激发态2F5/2能级,进而实现两个Yb3+离子的近红外发光。真空烧结对Tb4+的抑制、Y2O3晶格本身对Yb2+的抑制、Tb4+-Yb2+电荷转移态与Tb3+离子5D4能级之间较大的能隙以及Y2O3较低的声子能量等因素使得在484 nm激发下,由Tb3+经Tb4+-Yb2+电荷转移态后部分无辐射跃迁至Yb3+离子2F5/2能级的影响变得较小。另外,Y2O3较低的声子能量加之Tb3+离子5D4能级与Yb3+离子2F5/2能级之间较大的能隙(约1×105cm-1)使得由Tb3+离子5D4能级无辐射跃迁至Yb3+激发态2F5/2,进而实现一个Yb3+离子的近红外发光在下转换近红外发光中的贡献也较小。
- 林辉周圣明侯肖瑞李宇焜李文杰滕浩贾婷婷
- 关键词：透明陶瓷近红外
- 掺锆氧化钇基透明陶瓷及其制备方法
- 一种掺锆氧化钇基透明陶瓷及其制备方法，该陶瓷的结构式为(Y<Sub>1－x－y</Sub>Re<Sub>x</Sub>Zr<Sub>y</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中：Re为稀土元素...
- 侯肖瑞周圣明李文杰林辉滕浩
- 文献传递
- Yb^3＋,Ho^3＋共掺氧化钇透明陶瓷的制备及其性能被引量：5
- 2010年
- 研究了共沉淀法制备Yb/Ho∶Y2O3纳米粉末及其透明陶瓷的烧结工艺,采用Y(NO3)3、Yb(NO3)3和Ho(NO3)3的混合溶液为母盐溶液,以氨水为沉淀剂,在不同pH值下,用共沉淀法制备得到了碱式硝酸盐前驱体沉淀。1100℃煅烧2h得到Yb/Ho∶Y2O3纳米粉末。采用0.5wt%的TEOS(正硅酸四乙酯)为添加剂,1700～1850℃真空烧结15～25h后,得到了Yb/Ho∶Y2O3透明陶瓷。
- 李文杰林辉滕浩刘娜李宇焜侯肖瑞贾婷婷周圣明
- 关键词：共沉淀法Y2O3透明陶瓷
- Nd,Ce共掺YAG透明陶瓷的制备及其光谱性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用固相反应真空烧结法首次制备出Nd3+和Ce3+的掺杂浓度分别为1.0 at%和0.3 at%,Nd、Ce共掺YAG透明陶瓷,并对样品的相结构、显微结构、光学透过率和光谱性能进行了表征。结果表明,Nd3+和Ce3+都进入了YAG晶格,样品的平均晶粒尺寸约为5μm,1.5 mm样品的光学透过率除吸收带外基本都在75 at%以上。采用467 nm的激发源对样品Ce3+的5d能级进行激发,Ce3+通过对Nd3+的能量转移,实现了Nd3+的近红外发射,主荧光发射峰位于在1064 nm处,荧光寿命为256μs。
- 滕浩李宇焜林辉李文杰侯肖瑞贾婷婷易庆周圣明
- 关键词：透明陶瓷光谱性能
- ZrO2对Y2O3透明陶瓷烧结性能的影响
- 以高纯Y2O3粉体为原料,ZrO2为添加剂,采用真空烧结技术制备了Y2O3透明陶瓷。试验结果表明ZrO2的加入很大程度上提高了陶瓷的透明性,并结合烧结理论详细分析了ZrO2添加剂的作用机理。当ZrO2掺杂浓度为3at.%...
- 侯肖瑞周圣明贾婷婷林辉滕浩
- 关键词：ZRO2真空烧结
- 文献传递
- 过渡金属离子(Mn,Fe,Co)掺杂铝酸锂晶体的生长及光谱分析
- 2010年
- 采用提拉法分别生长了掺杂Mn、Fe以及Co元素的LiAlO2晶体,并对其结晶质量和光谱特性进行了研究。结果表明,LiAlO2:Mn、LiAlO2:Fe和LiAlO2:Co晶体的X射线双晶摇摆曲线半高宽分别为23.2arcsec、12.9arcsec和23.8arcsec。LiAlO2:Mn与LiAlO2:Fe晶体在可见至近红外波段具有较高的透过率,而LiAlO2:Co晶体在500～700nm波段存在吸收带;光致激发与发射光谱表明Mn2+在LiAlO2:Mn晶体中处于四面体晶体场内,而Fe3+替代Li+处于八面体格位;X射线激发发射光谱分析得出空气退火后γ-LiAlO2晶体出现了较强的缺陷发光,可归结为Li2O挥发后形成的F+心,而在同样退火条件下掺杂LiAlO晶体中相应的缺陷发光不明显,说明LiO的挥发被抑制,晶体的热稳定性得到了改善。
- 滕浩周圣明林辉贾婷婷侯肖瑞王军
- 关键词：提拉法光谱
- 异质衬底上HVPE法生长GaN厚膜的研究进展被引量：8
- 2009年
- 氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段。氢化物气相外延(HVPE)是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法。衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视,本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的研究进展,讨论了今后的研究方向。
- 贾婷婷林辉滕浩侯肖瑞王军周圣明
- 关键词：氮化镓HVPE蓝宝石碳化硅
- 衬底温度对非极性ZnO薄膜结晶性能和发光特性的影响
- 2011年
- 采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)设备在LiGaO2(100)衬底上制备了结晶性能良好的非极性ZnO薄膜。研究了衬底温度对ZnO薄膜结晶性能的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明在衬底温度为500℃时可以获得高质量的(1100)晶面取向的非极性ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面形貌及晶体尺寸,观察到500℃生长的ZnO薄膜表面更加平整,晶粒分布均匀,粗糙度均方根值(RMS)为0.626nm。光致发光(PL)光谱结果显示,ZnO薄膜的带边发光峰均位于375nm,但是在较低温度下(400℃)生长时黄光峰较强,说明低温生长时结晶性能较差,且缺陷较多。
- 贾婷婷周圣明林辉滕浩侯肖瑞王建峰徐科
- 关键词：光学材料ZNO薄膜
- 掺Fe铝酸锂晶体的光谱性能研究
- 2010年
- 采用提拉法生长了质量较高的掺Fe铝酸锂(LiAlO2:Fe)晶体,并用吸收光谱、光致激发与发射光谱以及X射线激发发射(XEL)光谱测试等方法对晶体的光谱性质及结构进行了研究。结果表明,晶体对可见光与近红外光具有较高的透过,而在深紫外波段存在与Fe离子相关的吸收。以266nm光激发得到710nm的Fe3+离子的特征发射峰,分析表明晶体中Fe3+离子代替Li+离子而处于8面体格位。比较不同晶体样品的XEL光谱发现,空气退火后的γ-LiAlO2晶体出现了318nm处较强的缺陷发光,而同样条件退火后的LiAlO2:Fe晶体与未退火的γ-LiAlO2晶体均未观察到相应的发光。分析得出此发光应与晶体退火后形成的F+心有关,而Fe掺杂可抑制晶体中Li2O的挥发,提高晶体的热稳定性。
- 滕浩周圣明林辉贾婷婷侯肖瑞王军
- 关键词：光学材料衬底提拉法光谱
- 镧锆共掺稀土倍半氧化物透明陶瓷及其制备方法
- 一种镧锆共掺稀土倍半氧化物透明陶瓷及其制备方法，该镧锆共掺稀土倍半氧化物透明陶瓷的化学式为R<Sub>(2-2X-2Y-2Z)</Sub>La<Sub>2x</Sub>Zr<Sub>2y</Sub>Ln<Sub>2z</...
- 易庆周圣明林辉侯肖瑞滕浩
- 文献传递
