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熊珊

作品数:4 被引量:26H指数:3
供职机构:景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院更多>>
发文基金:江西省自然科学基金国家自然科学基金江西省研究生创新基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇压电
  • 2篇掺杂
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电性能
  • 1篇动力学
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇溶剂
  • 1篇溶剂热
  • 1篇四氧化三铁
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇铁电性能
  • 1篇阻抗谱
  • 1篇铋层状结构
  • 1篇微球
  • 1篇结晶釉
  • 1篇介电

机构

  • 4篇景德镇陶瓷学...

作者

  • 4篇江向平
  • 4篇熊珊
  • 3篇邵虹
  • 3篇杨帆
  • 3篇徐新民
  • 2篇涂娜
  • 2篇傅小龙
  • 2篇李小红
  • 1篇李菊梅

传媒

  • 3篇硅酸盐学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 4篇2015
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Co^(2+)掺杂Zn_2SiO_4结晶釉生长机理的研究被引量:4
2015年
以高岭土、石英、钠长石、石灰石、氧化锌等矿物为原料,Zn O为晶核剂,并掺杂Co2+控温烧结Zn2Si O4结晶釉。利用X射线衍射仪(XRD)分析样品物相,白度色差计测量釉料色度(L*、a*、b*),EDS能谱仪分析样品组成含量。采用Johnson-Mehl-Avrami(JMA)方程对釉的结晶动力学进行分析,探讨釉中晶体的生长机理。结果表明:高温时Co2+置换了Zn2Si O4结晶釉中的Zn2+。随着保温时间的延长,掺杂了Co2+的Zn2Si O4晶体颗粒不断长大,在1140℃下保温170 min晶花达到最大,其晶花面积均值为410.91 mm2。模拟动力学分析,釉中晶体的Avrami指数n1100℃=0.82,n1140℃=1.23,n1180℃=1.12,表明晶体的形成由扩散机制向成核机制转变。拟合Arrhenius方程,晶体的活化能Ea=148.2 k J/mol。
徐新民江向平傅小龙杨帆邵虹熊珊
关键词:结晶釉动力学
Fe_(3)O_(4)/SiO_(2)核壳复合磁性微球的制备和表征被引量:15
2015年
以溶剂热法制备的高磁饱和强度 Fe3O4纳米颗粒为核,正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,采用 St?ber 方法,在乙醇/水溶液中,通过氨水催化水解硅醇盐,制得核壳结构的 Fe3O4/SiO2复合磁性微球。对制备的样品的物相结构、形貌和磁性能进行了测试表征。结果表明:制备的 Fe3O4/SiO2磁性微球呈球形,粒径分布均一,SiO2壳层圆整光滑,厚度为40~70 nm。X 射线衍射分析显示,Fe3O4/SiO2磁性微球具有尖锐的 Fe3O4特征衍射峰,表明包覆过程没有破坏 Fe3O4的晶体结构,其室温下的磁滞回线呈顺磁性,且比饱和磁化强度为30 A·m2/kg。此外,对 SiO2壳层的包覆机理进行了探究。
熊珊江向平李菊梅李小红陈云婧
关键词:溶剂热核壳结构
(NaBi)_(0.5–x)(LiCe)_xBi_8Ti_7O_(27)陶瓷的电性能被引量:1
2015年
采用固相法制备(Na Bi)0.5–x(Li Ce)xBi8Ti7O27铋层状共生结构陶瓷,研究了陶瓷的结构与电性能。结果表明:所有(Na Bi)0.5–x(Li Ce)xBi8Ti7O27陶瓷样品均为共生结构,Li,Ce掺杂没有改变其固有结构;适量Li、Ce掺杂使样品晶粒尺寸均匀,且密度增加,达到ρ=6.88 g/cm3;剩余极化强度Pr和压电常数d33均有显著提高,分别从4.19μC/cm2和8 p C/N提高到8.39μC/cm2和20 p C/N;在645℃和657℃处,样品介电温谱出现介电双峰;当x=0.25时,陶瓷样品综合性能达到最佳:d33=20 p C/N,平面机电耦合系数kp=8.86%,厚度机电耦合系数kt=15.15%,机械品质因子Qm=2 152,Pr=8.39μC/cm2。600℃退极化处理后,d33仍有15 p C/N,表明该材料在高温领域具有良好的应用前景。
邵虹江向平傅小龙涂娜李小红杨帆徐新民熊珊
关键词:压电性能介电性能铁电性能
Ce掺杂对0.85Bi_4Ti_3O_(12)-0.15LiNbO_3铋层状压电陶瓷电性能的影响被引量:6
2015年
采用固相法制备0.85Bi4Ti3O12-0.15Li Nb O3-0.75%Ce O2(BTO-LN-0.75Ce)铋层状压电陶瓷。通过阻抗谱研究不同温度和频率对样品电性能的影响。结果表明:介电常数ε*的实部ε′和虚部ε″在低频区域出现分散现象;随频率增大,阻抗(Z*)的实部Z′值逐渐减小,而虚部Z″值先增大后减小。阻抗Cole-Cole图表明:晶粒内部对电传导过程起主要作用,并可用一个并联电阻–电容电路等效。陶瓷样品的阻抗值随温度的升高而减小,电导率值在低频区域相对稳定,且电导率满足Arrhenius关系,说明陶瓷样品的电导是热激活的过程。BTO-LN-0.75Ce的电导活化能小于BTO-LN的电导活化能,分别为1.591 9和1.756 2 e V。
杨帆江向平涂娜邵虹徐新民熊珊
关键词:铋层状结构压电陶瓷阻抗谱电导率
共1页<1>
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