邹禧武
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：动力工程及工程热物理电气工程更多>>
- SiN_x∶H/Al复合膜层在背点接触太阳电池中的应用
- 2011年
- 尝试将SiNx∶H/Al复合膜层应用到晶体硅太阳电池的背部结构上。首先利用PECVD在硅片背面沉积一层SiNx∶H薄膜,然后在SiNx∶H薄膜上丝网印刷Al层,构成SiNx∶H/Al复合膜层。研究了具有SiNx∶H/Al复合膜层结构的硅片的光学内背反射性能,测得其内背反射率达88.9%。并从理论上设计出基于SiNx∶H/Al复合膜层的背点接触太阳电池最优结构,并从实验上制备出这种背点接触太阳电池,初期效率达12.36%。最后,提出了背点接触太阳电池工艺的改进方案。
- 陈达明梁宗存沈辉杨灼坚梁学勤邹禧武
- 关键词：丝网印刷
- 利用挖槽石英板制备无需切割的颗粒硅片
- 利用挖槽石英舟不仅可以制备完全避免切割的硅片,而且可以进一步改善硅片的表面质量。由于村底材料在硅太阳电池制作成本中占有40%以上的份额,通过外延多晶硅薄膜等工艺制成多晶硅薄膜太阳电池,从而极大地提高了硅原料的利用率。
- 邹禧武沈辉班群
- 关键词：太阳电池
- 文献传递
- 一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法
- 本发明公开一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，在硅片衬底上通过热氧化形成二氧化硅层和氮化硅，以形成双层钝化复合膜，随后在硅片衬底背面丝网印刷有空心阵列图案的、无玻璃料的铝浆料层并烧结，将硅片放入等离...
- 沈辉刘家敬邹禧武陈达明
- 文献传递
- 用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量被引量：2
- 2005年
- 以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量.借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征.结果表明:区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高.
- 胡芸菲沈辉王磊邹禧武班群梁宗存刘正义闻立时
- 关键词：区熔颗粒硅带多晶硅薄膜平整度
- 背面熔化对颗粒硅带表面质量的改善被引量：1
- 2005年
- 衬底的表面质量对外延薄膜有着显著的影响。为获得高质量的衬底,我们改进了SSP的制备方式。将制备的SSP硅带进行背面熔化后,硅带背面的表面质量得到大幅改善,晶粒明显增大。通过SEM和金相显微镜观察,对两种SSP进行了比较,分析了产生这些变化的原因,并讨论了改进建议。
- 邹禧武梁宗存沈辉
- 关键词：颗粒硅带晶界
- 一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法
- 本发明公开一种基于等离子刻蚀技术的背面接触晶体硅太阳电池的制备方法，在硅片衬底上通过热氧化形成二氧化硅层和氮化硅，以形成双层钝化复合膜，随后在硅片衬底背面丝网印刷有空心阵列图案的、无玻璃料的铝浆料层并烧结，将硅片放入等离...
- 沈辉刘家敬邹禧武陈达明
