张晓波
- 作品数：25 被引量：33H指数：3
- 供职机构：吉林大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技厅资助项目吉林省环保局科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- ZnS纳米晶的结构、缺陷与发光
- 本文以退火和清洗为实验手段,较深入的研究了ZnS纳米晶颗粒尺寸、结构相变、颗粒表面态和发光性质,论文主要内容如下:1 用均相沉淀法合成了晶粒度为11nm的ZnS纳米晶.借助X射线衍射技术和扫描隧道电镜等实验手段,系统研究...
- 张晓波
- 关键词：发光表面态相变晶格
- 文献传递
- 阶梯和窄台衬底内条形激光器光输出稳态特性分析
- 1993年
- 对阶梯和窄台衬底内条形(TSIS和NMSIS)半导体激光器的稳态光输出特性进行了数值计算。得到TSIS激光器的侧向波导非对称性允许其在大范围电注入下基横模工作和NMSIS器件远场光强分布呈现双峰现象,这些计算结果得到了实验验证。
- 张晓波赵方海王文杜国同杨树人高鼎三丛志先金希卓
- 关键词：半导体激光光输出
- （100）和（111）BGaAs衬底上的In_（0．14）Ga_（0．86）As／GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算
- 1996年
- 在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ衬底上，同时用ＭＯＣＶＤ生长出Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓ多量子阱结构．对两种晶向的样品进行了低温（２Ｋ）光致发光谱特性对比研究，测量与理论计算的光发射能量对比表明：（１００）面样品两者一致，而（１１１）Ｂ样品计算值比测量值高出１０～１５ｍｅＶ．这一差别用（１１１）Ｂ面量子阱中的压电效应产生的自建电场引起的发射能量红移作出解释．
- 张晓波刘颖杜国同殷景志
- 关键词：GAASINGAAS发光光跃迁
- InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
- 1996年
- 报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。
- 刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世呜高洪海高俊华王洪杰康学军
- 关键词：INGAAS面发射激光器
- 远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵
- 1990年
- 设计研制了一种可一次液相外延制备的新结构列阵──梯形沟道衬底内条形半导体激光锁相列阵。直流工作器件和脉冲工作器件的单面输出功率分别大于76mW和675mW。器件的远场单瓣半角宽度仅为2.4°。
- 赵方海杜国同张晓波高鼎三
- 关键词：半导体激光器列阵
- Si反射面组合式二维面发射激光二极管列阵
- 1990年
- 制备了一种组合式二维面发射激光二极管列阵。该列阵含6个发光区,脉冲输出功率可达220mW,且具有制作方便,兼备Si过渡热沉的优点,有利于器件可靠性的改善。并对影响发光效率的原因进行了分析。
- 张晓波高舒波杜国同
- 关键词：半导体激光器
- 混合抛物面反射二维面发射可见光半导体激光器
- 1990年
- 研制成功一种新型混合式面发射半导体激光器。它由水平端发射列阵激光器和蒸金GaAs反射抛物面构成。已实现的二维六单元面列阵激光器室温脉冲峰值功率达230mw。
- 张晓波杜国同高鼎三
- 关键词：半导体激光器可见光抛物面
- 关于■→■π~0衰变过程研究
- 2004年
- 系统地计算 B0 → K0 π0 衰变过程的强子矩阵元 ,它包括领头阶因子化部分 ,αs 修正的硬胶子交换部分和软胶子交换部分 .其中软胶子交换部分 ,无论在量子色动力学 (QCD)因子化方法中 ,还是在微扰QCD中都不能进行计算 .用光锥QCD求和规则系统地计算了这部分贡献 ,并发现在该衰变道中软胶子交换部分与领头阶因子化部分以及αs 修正的硬胶子交换部分有相同的数量级 ,因此不能忽略 .最后计算了该衰变过程的分支比 。
- 吴向尧尹新国郭义庆张晓波尹建华谢远亮
- 关键词：B介子衰变强子矩阵元分支比量子色动力学微扰
- 列阵半导体激光器中的热传输特性
- 1991年
- 利用等效热注入假设推导出列阵半导体激光器热沉中湿度分布解析表达式,该式包括了影响列阵激光器温度分布的多种因素,如各激射区的宽度,腔长,条间距以及管芯在热沉上的位置,它比以往结果更符合实际情况.通过计算对影响列阵激光器的散热因素,从热特性角度改善其锁相特性,以及热散射角的大小等问题进行了讨论.
- 张晓波陈金明高鼎三
- 关键词：半导体激光器热传输温度分布
- 新型气体传感器微热板的设计与优化
- 2014年
- 设计了一种新型气体传感器的微热板结构,利用铂作为电极材料,SiO2作为隔热层和绝缘层。通过有限元分析工具分析了基底中各材料厚度不同时微热板的温度分布,并对测量电极的结构进行了优化。当微热板的基底中前SiO2层、中间Si层、后SiO2层的厚度分别为50μm、150μm、100μm且测量电极不放叉指时,微热板中心温度最高且能够获得最佳温度分布。这种新型的微热板结构有助于提高传感器的整体性能。
- 迟霄张晓波刘丽何越王连元
- 关键词：微热板电极温度分布
