李东乐
- 作品数：8 被引量：12H指数：3
- 供职机构：南京理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：兵器科学与技术一般工业技术理学电子电信更多>>
- 用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法
- 本发明公开了一种用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法，所述开关包括硅基衬底、硅基衬底上的SiO<Sub>2</Sub>绝缘层、金属铜层和肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比其显著优点：（1）开关尺寸小，制作...
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- 文献传递
- 一种肖特基结电爆换能元及其制备方法
- 本发明公开了一种肖特基结电爆换能元，所述电爆换能元包括：硅基衬底、SiO<Sub>2</Sub>绝缘层、金属铝层、肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比，其显著优点在于每一个肖特基结都有一定的击穿电压，通过控制肖特基结的数...
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- 一种肖特基结电爆换能元及其制备方法
- 本发明公开了一种肖特基结电爆换能元，所述电爆换能元包括：硅基衬底、SiO<Sub>2</Sub>绝缘层、金属铝层、肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比，其显著优点在于每一个肖特基结都有一定的击穿电压，通过控制肖特基结的数...
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- 基于Al/MoO_x纳米复合薄膜的含能半导体桥研究被引量：3
- 2013年
- 使用微细加工和磁控溅射技术将Al/MoO x纳米复合薄膜集成于半导体桥(SCB),制成含能半导体桥SCB-Al/MoO x以提高SCB的点火能力。薄膜的SEM、DCS和XPS结果表明,复合薄膜成膜质量好,层状结构清晰,放热量可达3200 J/g,达到理论值的68%(理论放热量为4703 J/g),MoO x薄膜含有32%的MoO3、37%的Mo2O5以及31%的MoO2。电容激励发火实验表明:相同激发条件下,SCB-Al/MoO x反应终止时间较SCB显著缩短,能量输出效率高于SCB,发火时溅射出的火花量明显增多,持续时间显著延长,使用原子发射双谱线测温法得到的等离子体温度亦高于SCB。
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- 反应性半导体桥含能复合薄膜的制备及其特性研究
- 本文研究了Al/Ni和Al/Co3O4两种含能复合薄膜的制备方法和化学反应特性，研究了集成两种含能复合薄膜的反应性半导体桥的能量转换特性和规律，取得了重要的研究成果。 (1)通过制备工艺的研究，掌握了Co3O4纳米棒的...
- 李东乐
- Al/Ni和Al/Ti纳米多层薄膜制备与表征被引量：5
- 2013年
- 用磁控溅射法制备了Al/Ni、Al/Ti纳米多层薄膜。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和X-射线衍射仪(XRD)对其进行了结构表征和成分分析。用差示扫描量热法(DSC)测定了纳米多层薄膜的反应放热量。结果表明:工作压力为0.4 Pa,Al、Ni、Ti溅射功率分别为200,220,180 W条件下制备的Al/Ni、Al/Ti多层薄膜表面均匀致密,无尖锐峰,层状结构分明,组成成分分别为Al、Ni和Al、Ti单质状态;Al/Ni、Al/Ti多层薄膜放热量分别为1134.64,918.36 J·g-1,达到理论值的82.2%,80.7%。
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- 关键词：军事化学与烟火技术ALAL磁控溅射热分析
- Al/MoO_3和Al/Fe_2O_3纳米含能薄膜制备与性能表征被引量：4
- 2013年
- 使用自动控制磁控溅射仪制备纳米级Al/MoO3和Al/Fe2O3含能薄膜,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对其形貌进行分析,使用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜组分,利用差示扫描量热(DSC)进行热力学分析。分析显示,含能薄膜结构完整,层状结构清晰;Al/MoO3纳米薄膜中MoO3有较大部分被还原为Mo2O5和MoO2,Al/Fe2O3纳米薄膜中Fe2O3有部分被还原为FeO,含能薄膜中Al有少部分被氧化为非晶结构的Al2O3。含能薄膜放热峰起始温度较低,活化能较小,反应活性较高,放热量较大,分别为3198和1680J/g。
- 付帅朱朋叶迎华沈瑞琪李东乐
- 关键词：军事化学磁控溅射热分析
- 用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法
- 本发明公开了一种用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法，所述开关包括硅基衬底、硅基衬底上的SiO<Sub>2</Sub>绝缘层、金属铜层和肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比其显著优点：（1）开关尺寸小，制作...
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