王兴华
- 作品数：51 被引量：68H指数：4
- 供职机构：北京理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术交通运输工程更多>>
- 混流涡轮部分转动式导流叶片改型设计及流场分析
- 随着欧六、国六等日趋严格排放法规的颁布和实施,车用内燃机将面对前所未有的压力和挑战。涡轮增压作为功率强化、减排增效的重要技术措施,已成为应对上述问题的首要选择。导叶可调的混流式涡轮具有易于调节、工况适应性好等优势,是车企...
- 王兴华
- 文献传递
- 一种高线性度非对称单刀双掷开关的设计
- 2015年
- 介绍了一种用于射频收发系统的16GHz、低损耗、高隔离度、高线性度的非对称型单刀双掷开关。针对串联和并联晶体管尺寸对插入损耗及隔离度的影响、对称型和非对称型两种结构各自的特点,以及选择非对称结构的原因进行了分析。采用90nm CMOS工艺实现,设计中采用深N阱MOS管,并在必要的节点加入交流悬浮偏置,提高开关整体性能。测试表明,Rx模式下,插损为0.77dB,隔离度为22.9dB,输入1dB压缩点为9dBm;Tx模式下,插损为2.14dB,隔离度为20.2dB,输入1dB压缩点大于15dBm。
- 王亦凡桂小琰王兴华陈志铭
- 关键词：射频集成电路单刀双掷开关高线性度
- 一种远程控制窗帘及窗户的智能家居系统
- 本发明涉及一种远程控制窗帘及窗户的智能家居系统，属于智能家居控制技术领域。所述智能家居系统的远程控制单元与主控单元建立联系，主控单元接收并处理传感器单元与光控单元传输来的信号再输出至报警单元、窗户控制单元、窗帘控制单元及...
- 卢继华王兴华李泽英李睿浩
- 文献传递
- 一种基于时空电导率调制的集成CMOS环形器
- 本发明涉及一种高度集成的基于时空电导率调制的CMOS环形器，目的在于弥补国内对于全双工天线接口的研究相对薄弱的问题，属于射频集成电路领域。本发明所述的环形器是一个三端口器件，是通过非互易相移元件回转器嵌入到3λ/4传输线...
- 李潇然高健陈志铭李佳峄王兴华张蕾
- 文献传递
- 窄带Dither技术在流水线ADC中的校正研究被引量：1
- 2018年
- 随着工艺和技术的不断发展,对ADC的无杂散动态范围(SFDR)的要求越来越高。提出了一种窄带Dither技术来改善流水线ADC的SFDR。介绍了Dither的原理和产生电路。基于TSMC 90nm CMOS工艺,设计了一种12位100 MS/s ADC。在该ADC中运用了Dither技术,并对Dither技术的运用效果进行了仿真与验证。结果表明,当输入信号幅度为63.25mV、频率为9.325 MHz、采样频率为50 MHz时,该ADC的SFDR为77.97dB。采用Dither技术后,在保证SNR几乎不变的情况下,SFDR可达84.79dB,较不采用Dither技术提高了6.82dB。
- 赵洪明闫肃靳翔王兴华陈铖颖
- 关键词：流水线ADC电容失配无杂散动态范围
- 宽带dither技术改善ADC SFDR性能研究被引量：4
- 2018年
- Dither技术是一种提高模数转换器(ADC)动态性能的有效途径.分析了dither技术改善无杂散动态范围(SFDR)的原理,并在流水线ADC中引入宽带大幅度dither信号,从而减小微分非线性(DNL)误差,并提高动态性能.仿真结果表明dither的加入使得ADC的SFDR从56.35dB提高到66dB,信噪比(SNR)下降了1.05dB.
- 靳翔闫肃赵洪明王兴华陈铖颖
- 关键词：流水线ADCSFDR
- 一种瞬态增强无片外电容LDO电路
- 2016年
- 基于CSMC 0.18μm工艺,设计了一款瞬态增强的无片外电容LDO。设计误差放大器时,采用改进的第2级放大器提高功率管栅端的充放电速度,从而提高瞬态响应。采用嵌套密勒补偿方式来保证LDO的稳定性。仿真结果表明,输入电压为2～4.5V时,LDO的输出电压为1.8V,负载电流在1～300mA之间具有良好的稳定性,响应时间为1.4μs,最大过冲电压为84mV。
- 周杭军陈志铭王兴华
- 关键词：无片外电容低功耗线性稳压器
- 一种电源外置式的无线充电鼠标
- 本发明涉及一种电源外置式的无线充电鼠标，属于无线充电及电脑外设技术领域。收发模块中的收发端控制单元与鼠标模块中的鼠标收发控制单元进行通信和握手，决定鼠标使用及充电功能的切换；鼠标端的收发包括电源及信号信息传输两方面：通过...
- 卢继华张坤杨镒铭王兴华闵航张钦煌陈旭
- 文献传递
- 一种基于摄像头及可见光定位的智能系统
- 本发明涉及一种基于摄像头及可见光定位的智能系统，属于智能装置运动控制及定位技术领域。手持定位终端在工作模式下，控制单元接收智能装置的位置信息，即PC端服务器传来的路径规划信息控制行走及避障操作；锁定模式基于I/O单元中触...
- 卢继华冯立辉李泽英王兴华钱晨王乾谷博宇
- 文献传递
- 90nm CMOS工艺高速锁相环设计与优化被引量：2
- 2018年
- 基于TSMC90nm CMOS工艺设计了一款高速锁相环.为优化锁相环整体的相位噪声及参考杂散性能,分析了差分电荷泵和LC压控振荡器的相位噪声,并且讨论了多模分频器的设计方法.高速锁相环的整体芯片版图面积为490μm×990μm.测试结果表明,在频偏1MHz处的相位噪声为-90dBc,参考杂散为-56.797dBc.
- 王征晨王兴华仲顺安
- 关键词：锁相环电荷泵LC压控振荡器相位噪声
