单旭
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：广西教育厅重点项目广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 溶胶-凝胶法制备Mg_(0.2)Zn_(0.8)O阻变薄膜的研究
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶工艺在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O阻变薄膜,研究了退火温度和薄膜层数对Mg0.2Zn0.8O薄膜生长行为、漏电流性能的影响。研究发现,Mg0.2Zn0.8O薄膜是多晶态结晶结构,薄膜的(100)、(002)和(101)晶面所对应衍射峰的强度随镀制薄膜层数的增多和退火温度的升高明显增强。结果表明,随退火温度的升高,高阻态(HRS)和低阻态(LRS)的漏电流减小;然而,HRS时薄膜的漏电流却随Mg0.2Zn0.8O薄膜层数的增多而变大。退火温度和薄膜厚度改变Mg0.2Zn0.8O阻变薄膜中氧空穴和缺陷的数量,进而影响Mg0.2Zn0.8O薄膜的漏电流。
- 高书明王华许积文单旭赵霞妍
- 关键词：溶胶-凝胶工艺漏电流
- 高温无铅压电陶瓷BFMT-BT的微结构与电性能被引量：1
- 2013年
- 采用传统陶瓷制备方法,制备一种高温钙钛矿结构0.71BiFe1 x(Mg1/2Ti1/2)xO3-0.29BaTiO3(BFMTx-BT)无铅压电陶瓷。研究Bi(Mg1/2Ti1/2)O3(BMT)改性对该体系陶瓷微结构、介电、铁电与压电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内BMT不改变陶瓷的晶体结构,居里温度随BMT含量的增加先保持不变,但随BMT的进一步增加明显降低,频率依赖性与弥散相变特征随BMT含量的增加更加明显。矫顽场随BMT含量的增加而降低,剩余极化在BMT含量x≤0.06时变化不大。添加BMT提高了陶瓷的压电常数d33,但使机电耦合系数降低。在BMT含量x=0.03时,BFMTx-BT具有优良的压电性能(d33为155 pC/N)与高居里温度(tc为420℃)。
- 单旭周昌荣杨华斌周沁成钧陈国华李伟洲
- 关键词：压电陶瓷钙钛矿结构高温
- 多离子复合铁电体Bi(Zn_(1/2)Ti_(1/2))O_3改性BNT陶瓷的微结构与电性能被引量：1
- 2011年
- 采用传统陶瓷制备方法,制备了一种B位多离子复合铁电体Bi(Zn1/2Ti1/2)O3改性BNT无铅压电陶瓷(1-x)(Bi1/2 Na1/2)TiO3-xBi(Zn1/2 Ti1/2)O3(简写为(1-x)BNT-xBZT,x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)。研究了BZT对该体系陶瓷微结构和压电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内,BZT不改变陶瓷的晶体结构,同时抑制晶粒长大。添加BZT明显改善陶瓷的压电常数d33,但机电耦合系数kp变化不明显。分析了影响压电常数d33与机电耦合系数kp的不同作用机理,发现陶瓷内部存在的内应力是引起压电常数d33变化的一个重要因素。
- 杨华斌单旭周昌荣成钧陈国华李伟洲
- 关键词：钛酸铋钠压电性能
