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文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇相变
  • 4篇玻璃钢
  • 4篇玻璃钢管
  • 3篇相变材料
  • 3篇硫属
  • 3篇硫属化合物
  • 3篇化合物
  • 3篇管壁
  • 2篇导电特性
  • 2篇电特性
  • 2篇引脚
  • 2篇元结构
  • 2篇属相
  • 2篇驱动电路
  • 2篇驱动电路设计
  • 2篇料层
  • 2篇硫酸
  • 2篇模拟计算
  • 2篇耐腐蚀
  • 2篇耐腐蚀性

机构

  • 10篇武汉理工大学

作者

  • 10篇向宏酉
  • 4篇陈建中
  • 4篇李卓球
  • 4篇王嘉赋
  • 2篇李娟
  • 2篇李娟

传媒

  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇玻璃钢/复合...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 2篇2007
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种硫属相变存储器CRAM存储元
本发明涉及一种硫属相变存储器CRAM存储元,其材料层从下到上依次为:下电极;第一相变层;加热层;第二相变层和上电极;加热层尺寸小于相变层,第一相变层、加热层、第二相变层形成“工”形结构。本发明相比目前的硫属相变存储器CR...
王嘉赋向宏酉李娟
文献传递
玻璃钢管长期性能测试中试样破坏时间的测试方法
本发明涉及一种玻璃钢管长期环弯曲应变试验中试样破坏时间的测试方法。玻璃钢管长期性能测试中试样破坏时间的测试方法,其特征在于:利用腐蚀液能导电的特性,在玻璃钢管试样5内的底部管壁两侧设置耐腐蚀性并能导电的第一中断电极11、...
陈建中李卓球向宏酉
文献传递
与CMOS热兼容的CRAM存储元结构研究被引量:3
2007年
从硫属相变存储器CRAM(Chalcogenide-based phase-change RAM)的存储原理出发,建立存储元一维多层热传导结构模型。根据存储元的读写功能需求及其与CMOS驱动电路实现热兼容的条件,确定3个临界参数:相变材料熔化温度Tm、相变的临界区域Xc、CMOS驱动电路能承受的临界温度Tc。合理设定边界条件,利用差分法编程求解多层热传导方程得出温度分布曲线图。在临界参数的限制下,通过选择调整存储元的电极、隔热层、相变层的材料尺寸,并使用加热层对相变层进行加热,设计出的CRAM存储元结构模型不仅满足了CRAM存储元的存储读写要求,而且首次实现了CRAM存储元与CMOS电路的热兼容。
向宏酉王嘉赋李娟
关键词:相变硫属化合物
含双层GST的低功耗CRAM存储元结构设计
2009年
基于热场分析,在CRAM存储元传统结构的加热层和底电极之间插入一层存储介质GST,设计出含双层GST的CRAM存储元结构。在模拟存储元热场分布过程中引入热辐射边界条件,使模拟结果更接近实际。根据设计要求,将双层GST新型结构与传统结构的热场进行比较,结果表明,含双层GST的新型结构一方面实现了存储元与CMOS晶体管的热兼容,增强了器件的稳定性;另一方面,将reset电流减小到0.5 mA,降低了器件功耗。
李娟王嘉赋向宏酉
玻璃钢管长期性能测试中试样破坏时间的测试方法
本发明涉及一种玻璃钢管长期环弯曲应变试验中试样破坏时间的测试方法。玻璃钢管长期性能测试中试样破坏时间的测试方法,其特征在于:利用腐蚀液能导电的特性,在玻璃钢管试样5内的底部管壁两侧设置耐腐蚀性并能导电的第一中断电极11、...
陈建中李卓球向宏酉
文献传递
一种硫属相变存储器CRAM存储元
本发明涉及一种硫属相变存储器CRAM存储元,其材料层从下到上依次为:下电极;第一相变层;加热层;第二相变层和上电极;加热层尺寸小于相变层,第一相变层、加热层、第二相变层形成“工”形结构。本发明相比目前的硫属相变存储器CR...
王嘉赋向宏酉李娟
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玻璃钢管长期性能测试中的计时装置被引量:1
2008年
利用单片机AT89C51的定时计时功能以及合理运用外部中断设计计时,并用SN74HC164N移位寄存器驱动数码管显示,最后设计电路原理图制作电路板,得到可应用于玻璃钢管长期性能测试中的自动计时装置,解决玻璃钢管长期性能测试中长期时间数据采集的难题。
向宏酉李卓球陈建中
关键词:玻璃钢管单片机
玻璃钢管长期性能测试中的试样破坏时间测试装置
本实用新型涉及一种玻璃钢管长期性能测试中的试样破坏时间测试装置。玻璃钢管长期性能测试中的试样破坏时间测试装置,其特征在于它由第一中断电极(11)、第二中断电极(12)、微处理器、显示器、液位报警器组成;第一中断电极(11...
陈建中向宏酉李卓球
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硫属相变存储器CRAM的存储元结构与驱动电路设计
本论文主要开展了三个方面的研究:设计能减小写电流和简化制造工艺的CRAM新型结构存储元;构建反映CRAM存储元阻值变换规律的存储元电路模型;设计能顺利进行数据存储识别的完整的CRAM存储器驱动电路。 首次从考察...
向宏酉
关键词:硫属化合物相变材料驱动电路设计
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硫属相变存储器CRAM 存储元结构与驱动电路设计
向宏酉
关键词:硫属化合物相变驱动电路
共1页<1>
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