康劲
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 供职机构：杭州电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 2．45GHz高线性功率放大器设计被引量：2
- 2009年
- 基于SMIC 0．18μm RF-CMOS工艺，实现了一种工作于2．45GHz的功率放大器，给出了电路仿真结果和电路版图。电路采用两级放大的结构，分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS器件低去穿电压的限制，同时保证了稳定性的要求。为了提高线性度，采用一种集成的二极管线性化电路对有源器件的输入电容变化提供一种补偿机制，漏端的LC谐振网络和优化的栅偏置用来消除由跨导产生的非线性谐波。在3V电源电压下，放大器功率增益为23dB，输出1dB压缩点约为25dBm，对应的功率附加效率PAE可达35％。
- 赵明付孙玲玲文进才康劲
- 关键词：CMOS功率放大器射频集成电路
- 2.45GHzWLAN功率放大器设计
- 本文介绍了基于SMIC 0.18um CMOS工艺,应用于2.45GHz WLAN（无线局域网）的功率放大器的设计,给出了其仿真结果和电路版图。电路采用两级放大的结构,分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解击穿电压...
- 赵明付孙玲玲文进才康劲邹欢欢
- 关键词：CMOS功率放大器无线局域网射频集成电路
- 文献传递
- 一种高增益低功耗的CMOS低噪声放大器
- 2010年
- 设计了一种新型的全集成的电流复用两级共源低噪声放大器,采用新型输入匹配和一个级联的级间谐振电感实现了低功耗高增益。为了降低芯片面积,两个LC并联网络代替了传统的大电感。这种新型的电流复用结构更有利于输入匹配,降低噪声和功耗。采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺制作了一个频率为2.4GHz,噪声系数1.7dB,S11为-30dB,S22为-36dB,功率增益为23dB,反向隔离度小于-35dB,在1.8V的供电电压下仅消耗2mA。
- 康劲孙玲玲文进才赵明付章少杰
- 关键词：CMOS级间匹配电流复用低噪声放大器
- CMOS片上变压器建模及2.4GHz射频前端关键模块设计
- 无线通信技术的迅猛发展带动了信息产业的整体发展，作为无线传输设备核心器件的射频集成电路(RFICs)不断朝着高性能、高集成度、低功耗和低成本方向发展。CMOS工艺有着先天的优势：高集成度(与基带、数字信号处理模块工艺兼容...
- 康劲
- 关键词：CMOS工艺射频集成电路低噪声放大器下变频混频器
