余宏
- 作品数：18 被引量：11H指数：1
- 供职机构：贵州师范学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省科技攻关计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 半导体检测装置
- 本实用新型公开了一种半导体检测装置，包括本体及设于本体上的真空室，所述真空室内设有探针及测试夹具，所述测试夹具包括：载板、载板支架、旋转台、驱动装置A、驱动装置B；所述旋转台下表面设有转轴A和内齿环，所述驱动装置A的输出...
- 余宏
- 文献传递
- 新工科背景下信号处理类课程群建设研究与改革实践探索
- 2023年
- 随着信息技术的迅猛发展和新工科理念的兴起,工程教育正面临着日益复杂和多样化的挑战。文章旨在研究并实践新工科背景下信号处理类课程群的建设,探讨如何优化课程设置、加强实践环节、促进跨学科融合以及创新教学方法,以提高学生的信号处理能力和创新思维,在实际应用领域中探索和解决相关问题为目标,培养符合时代需求的信息工程类专业人才。
- 廖丽君余宏王丹钰
- 关键词：信号处理信息技术工程教育
- 一种基于电子积木DIY的定时装置
- 本发明公开了一种基于电子积木DIY的定时装置，包括底板与若干具有基础功能的电子积木块，在底板的上表面等间距设置有多个结点单元，在每个排母上均设有多个插孔，在每个插孔内设有第一电连接件；所述电子积木块的下表面设有与所述插孔...
- 莫章洁赵红春郭太荣杨艳邓睿余宏
- 基于Mg2Si薄膜的异质结研究现状
- 2016年
- 1.前言在半导体材料的应用范围越来越广的同时,由于其含有大量的有毒有害物质而被广泛关注,这时作为环境友好型材料的Mg2Si薄膜就应运而生了。Mg2Si由于其储量丰富且廉价,还具备了耐腐蚀、无污染、抗氧化、无毒无害、能与传统的Si工艺兼容等优势,被广而深地分析研究,经过了近几年的努力研究,不断地有新的研究成果出现,如在其光学特性和电子结构的计算领域。因此,对Mg2Si薄膜异质结等内容进行研究。
- 念刘飞余宏周筑文徐林谢泉
- 关键词：异质结MG2SI光学特性热蒸发法电子结构电池材料
- 一种数字信号处理用模数转换器
- 本实用新型公开了一种数字信号处理用模数转换器，包括模数转换器，所述模数转换器的侧面设置有散热孔，所述模数转换器的另一侧设置有转换器侧板，所述散热孔的下方设置有开关，所述模数转换器的底部设置有防滑塑料层，所述滑动凹槽的上方...
- 余宏郭红安刘世华
- 蒸发时间对Mg_2Si薄膜的影响
- 2016年
- 本文旨在研究Mg2Si半导体薄膜的制备过程中,蒸发时间对Mg2Si薄膜的影响。通过采用电阻式热蒸发及退火工艺的制备方法制备了Mg2Si半导体薄膜。在低真空（10-1~10-2Pa）,400℃热处理4h条件下,研究在80A蒸发电流时,不同蒸发时间对Mg2Si薄膜的影响。并采用扫描电镜手段对实验形成的Mg2Si薄膜的结构进行了表征。最后得出结论：低真空（10-1~10-2Pa）,400℃热处理4h条件下,蒸发时间为16min是制备高质量Mg2Si半导体薄膜的最佳蒸发时间。
- 程佳俊余宏周筑文徐林
- 关键词：热蒸发
- 一种基于模拟减法器的主动降噪耳机
- 本发明涉及降噪耳机技术领域，具体涉及了一种基于模拟减法器的主动降噪耳机。包括音频输入接口、麦克风、模拟减法器、音频输出模块；音频输入接口，用于接收音频播放设备发出的音频模拟信号，将音频模拟信号发送到模拟减法器；麦克风，用...
- 莫章洁周继宇张海蓉邓睿余宏
- 半导体沉积设备
- 本实用新型公开了一种半导体沉积设备，包括沉积腔盖，所述沉积腔盖底部设有若干喷气组件，所述喷气组件包括喷气头及自锁气缸，所述自锁气缸缸体连接至沉积腔盖，其活塞杆的端部连接至喷气头的上表面；还包括传感器、电磁阀与信号处理器，...
- 余宏
- 文献传递
- 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺
- 本发明公开了一种单一相Mg<Sub>2</Sub>Si半导体薄膜的制备工艺，它包括以下过程：第一、Si衬底上蒸发沉积Mg膜,首先将Si片清洗干燥,将Si片固定在电阻热蒸发室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发坩埚内，进行蒸...
- 谢泉肖清泉余宏陈茜张晋敏
- Mg_2Si半导体薄膜的热蒸发制备被引量：10
- 2013年
- 采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。
- 余宏谢泉肖清泉陈茜
- 关键词：热蒸发退火时间
