您的位置： 专家智库 > >

曹鹏辉

作品数：8 被引量：4H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家部委预研基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇透明电极
  • 5篇光导
  • 5篇光导开关
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇欧姆接触电极
  • 4篇接触电极
  • 4篇高速脉冲
  • 2篇电极
  • 2篇氧化锌
  • 2篇铟锡氧化物
  • 2篇半绝缘
  • 2篇DC
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇集成光路
  • 1篇反相器

机构

  • 8篇西安电子科技...

作者

  • 8篇曹鹏辉
  • 4篇张晨旭
  • 4篇郭辉
  • 4篇张玉明
  • 2篇包军林
  • 2篇张婧婧
  • 2篇陈晓东
  • 2篇阎家铭
  • 2篇杜磊
  • 1篇庄奕琪

传媒

  • 2篇电子科技

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2009
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关及其制作方法
本发明公开了一种基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关。其包括钒补偿的碳化硅半绝缘衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分...
郭辉曹鹏辉吴建鲁张玉明张晨旭
文献传递
VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元设计
2009年
文中应用预警和健全管理(PHM)方法,在深入研究了辐射导致VDMOS器件和DC/DC转换器性能退化之间关系的基础上,设计了基于VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元。经过仿真证实了所设计的预兆单元可以提前报警。
曹鹏辉杜磊包军林张婧婧陈晓东阎家铭
关键词：DC/DC转换器VDMOS器件
基于氧化锌透明电极的异面型光导开关及其制作方法
本发明公开了一种基于氧化锌透明电极的异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳...
郭辉吴建鲁曹鹏辉张玉明张晨旭
文献传递
CMOS反相器辐射加固电路设计被引量：1
2009年
针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计,对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能,利用电路模拟软件Pspice进行了模拟。模拟结果显示,采用该电路结构的反相器有很好的抗辐射性能。
陈晓东杜磊庄奕琪包军林张婧婧曹鹏辉阎家铭
关键词：总剂量辐照
基于VDMOSFET的DC//DC转换器辐射损伤预兆单元研究
DC//DC转换器作为二次电源广泛应用于太空辐射环境下,其辐射损伤可靠性成为亟待解决的问题。传统的辐射加固设计和筛选方法存在生产周期长,成本高,性能落后等缺点。本文探索采用ePHM方法来解决DC//DC转换器辐射损伤可靠...
曹鹏辉
关键词：VDMOSFET
文献传递
采用透明电极的垂直型4H-SiC光导开关的研究
在高功率脉冲应用领域，碳化硅光导开关器件在输出功率和开关频率特性方面具有传统开关器件不可比拟的优势，在近二十年成为国内外研究热点。而国内相关实验研究起步较晚，整体水平不高，还需要持续投入和不断实验。　　本研究结合国内外碳...
曹鹏辉
关键词：光导开关集成光路芯片设计
基于氧化锌透明电极的异面型光导开关及其制作方法
本发明公开了一种基于氧化锌透明电极的异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳...
郭辉吴建鲁曹鹏辉张玉明张晨旭
文献传递
基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关及其制作方法
本发明公开了一种基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关。其包括钒补偿的碳化硅半绝缘衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分...
郭辉曹鹏辉吴建鲁张玉明张晨旭
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0