吕彬义
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：杭州电子科技大学更多>>
- 发文基金：浙江省科技攻关计划国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于表面势的HEMT模型研究
- 当前，微波/毫米波器件及其电路日益凸显出其在产业应用中的重要地位，已经成为微电子技术研究的热点。随着微电子技术的发展，对器件的要求也越来越高，硅基器件及其电路的局限性渐渐凸显出来。相比于业界主流的硅基MOS器件，化合物H...
- 吕彬义
- 关键词：表面势
- 低压低功耗无源UHF RFID标签芯片模拟前端电路的设计被引量：3
- 2009年
- 本文从设计符合EPCTMC1G2协议的超高频无源射频识别标签芯片的角度出发,对RFID标签芯片模拟前端电路进行设计。通过对各个关键电路的功耗与电源进行优化,实现了一个符合协议要求的低电压、低功耗的超高频无源RFID标签芯片的模拟前端。该UHF RFID标签模拟前端设计采用SMIC 0.18μm EEPROM CMOS工艺库。仿真结果表明,标签芯片模拟前端的整体功耗控制在2.5μW以下,工作电源可低至1 V,更好地满足了超高频无源射频识别标签芯片应用需求。
- 章少杰孙玲玲洪慧罗世钦吕彬义
- 关键词：低功耗
- 基于表面势的HEMT模型分析被引量：1
- 2010年
- 将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。
- 吕彬义孙玲玲孔月婵陈辰刘军陈磊
- 关键词：表面势泊松方程
