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Al组分对MOCVD制备的Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响被引量：3: 2013年; 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气(2DEG)浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分(25%)范围内,获得的HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×1013cm-2和1 680 cm2/(V·s),方块电阻低至310Ω/□。; 陈翔邢艳辉韩军霍文娟钟林健崔明范亚明朱建军张宝顺; 关键词：AL组分 ALGAN 高电子迁移率晶体管电学性质 MOCVD

单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究被引量：6: 2013年; 基于器件仿真器Atlas,建立了InP/InGaAsP单向载流子传输的双异质结光敏晶体管(UTC-DHPT)的二维模型,分析讨论了器件性能与外延结构参数的关系.设计出同时具有高响应度(17.93 A/W)和高特征频率(121.68GHz)的UTC-DHPT,缓解了传统的异质结光敏晶体管光电探测器中探测效率和工作速度的矛盾.; 霍文娟谢红云梁松张万荣江之韵陈翔鲁东; 关键词：光敏晶体管响应度

980nm垂直腔面发射激光器的外延生长被引量：3: 2015年; 模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱,采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器,制作了氧化孔径为14μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件,其阈值电流为3.3mA,阈值电压为1.8V,斜率效率为0.387W/A,室温直流电流为22.8mA时,输出光功率为5mW。; 崔明韩军邓军李建军邢艳辉陈翔朱启发; 关键词：金属有机物化学气相沉积

AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响: 2014年; 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT),研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN隔离层的时间为12 s(1 nm左右)时,HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1 500 cm2·V-1·s-1,二维电子气(2DEG)浓度为1.16×1013cm-2。AFM测试结果表明,一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。HRXRD测试结果表明,AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。; 钟林健邢艳辉韩军陈翔朱启发范亚明邓旭光张宝顺; 关键词：PALE MOCVD HEMT 电学性能

AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响被引量：2: 2014年; 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明:厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散,而且还给GaN外延层提供了一个较大的压应力,避免GaN薄膜出现裂纹。在该厚度AlN缓冲层上制备的GaN薄膜表面光亮、无裂纹,受到的张应力为0.3 GPa,(0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽分别为536 arcsec和594 arcsec,原子力显微镜测试得到表面粗糙度为0.2 nm。; 陈翔邢艳辉韩军霍文娟钟林健崔明范亚明张宝顺; 关键词：ALN缓冲层 GAN SI衬底 MOCVD

高阻GaN的MOCVD外延生长被引量：1: 2013年; 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明,延长GaN成核层的生长时间,降低成核层生长时的反应室压力,载气由H2换为N2都会得到高阻的GaN缓冲层。样品的方块电阻Rs最高为2.49×1011Ω/□。以高阻GaN样品为衬底制备了AlGaN/AlN/GaN结构HEMT器件,迁移率最高达1 230 cm2/(V·s)。; 邓旭光韩军邢艳辉汪加兴范亚明张宝顺陈翔; 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管蓝宝石衬底

外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究被引量：4: 2012年; 采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。; 李影智邢艳辉韩军陈翔邓旭光徐晨

H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响被引量：2: 2013年; 在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚度随着H2流量的增加而增加,即H2流量增加会导致AlN生长速率的提高。原子力显微镜测试表明:随着H2流量的增加,AlN表面粗糙度也呈上升趋势。XRD测试表明:随着AlN生长时的H2流量的增加,GaN的(0002)和(1012)峰值半宽增大,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于AlN缓冲层的表面形貌较差,导致GaN的晶体质量有所下降。实验结果表明:采用较低的H2流量生长AlN缓冲层可以控制AlN的生长速率,在一定程度上有助于提高GaN的晶体质量。; 邓旭光韩军邢艳辉汪加兴崔明陈翔范亚明朱建军张宝顺; 关键词：ALN缓冲层 SI衬底金属有机化学气相沉积

AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响被引量：5: 2013年; 采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度对GaN外延层的影响。对AlN的测试表明,AlN的表面粗糙度(RMS)随着厚度增加而变大。对GaN的测试表明,所有GaN样品在垂直方向处于压应变状态,并且随AlN厚度增加而略有减弱。GaN的(0002)_ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着AlN成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12)_ω扫描的FWHM随着厚度增加而有所下降。(10-12)_ω扫描的FWHM与GaN的刃型穿透位错密度相关,A1N成核层的厚度较大时会降低刃型穿透位错密度,并减弱c轴方向的压应变状态。; 邓旭光韩军邢艳辉汪加兴范亚明陈翔李影智朱建军; 关键词：GAN SI衬底

AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaNHEMT材料电学性质的影响被引量：7: 2013年; 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5nm的HEMT材料,二维电子气浓度和迁移率分别达到1.2×1013 cm-2和1680cm2/Vs、方块电阻低至310Ω,体现了HEMT材料良好的电学性能。原子力显微镜和高分辨X射线衍射测试结果显示HEMT材料具有较好的表面形貌和异质结界面,较好的异质结界面也有利于增强HEMT材料的二维电子气浓度和迁移率。; 陈翔邢艳辉韩军李影智邓旭光范亚明张晓东张宝顺; 关键词：高电子迁移率晶体管电学性质二维电子气迁移率

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陈翔

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