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巫洪章

作品数:8 被引量:1H指数:1
供职机构:周口师范学院更多>>
发文基金:河南省科技攻关计划国家自然科学基金河南省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇第一性原理
  • 4篇第一性原理研...
  • 2篇导体
  • 2篇氧化镓
  • 2篇酸钠
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇降解
  • 2篇降解性
  • 2篇降解性能
  • 2篇固相法
  • 2篇固相法制备
  • 2篇反应机理
  • 2篇半导体
  • 2篇SUB
  • 2篇C3N4
  • 2篇掺杂
  • 1篇单原子
  • 1篇电催化
  • 1篇电子结构
  • 1篇动力学

机构

  • 7篇周口师范学院
  • 2篇浙江大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 8篇巫洪章
  • 4篇刘进
  • 3篇王振领
  • 2篇李俐俐
  • 2篇钟倩
  • 2篇金晓丹
  • 1篇田丰收
  • 1篇周小东
  • 1篇胡彬
  • 1篇靳林
  • 1篇杨建国
  • 1篇张云丽
  • 1篇朱自强

传媒

  • 2篇周口师范学院...
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
能源材料Al/Ni复合物快速放热和g-C_3N_4光解水性能的理论模拟研究
含能材料与新能源材料对于提高社会的经济发展和改善环境非常重要。含能材料Al/Ni复合物的快速放热性能与新能源材料g-C_3N_4的光解水的性能是关乎大规模开发应用的关键。本文采用分子动力学模拟对含能材料Al/Ni复合物的...
巫洪章
关键词:分子动力学第一性原理解离
文献传递
铜单原子负载基于Melon结构的g-C3N4光电催化二氧化碳还原反应的机理研究
单原子负载g-CN被广泛用于光电催化二氧化碳还原为燃料、合成氨及其他化学反应,具有广阔的应用前景。优化设计具有高选择性、高效的单原子负载g-CN需要弄清具体光催化体系中的反应机理、决速步骤。基于我们对g-CN光电催化二氧...
巫洪章刘进胡彬田丰收靳林
关键词:反应机理
文献传递
纳米片状Bi<Sub>2</Sub>Ga<Sub>4</Sub>O<Sub>9</Sub>的制备方法及应用
本发明公开了一种纳米片状Bi<Sub>2</Sub>Ga<Sub>4</Sub>O<Sub>9</Sub>的制备方法,包括如下步骤:以氧化镓和碳酸钠为原料,首先利用固相法制备镓酸钠(NaGaO<Sub>2</Sub>)前...
刘进钟倩王振领李俐俐巫洪章金晓丹
文献传递
g-C3N4光还原二氧化碳机制的第一性原理研究
无金属参与的g-CN是一种具有巨大发展潜力的光催化剂。g-CN具有合适的半导体带隙、导带底和价带顶位置,在光催化领域展现出广泛的应用,如光解水产氢、产氧,光还原二氧化碳,光降解有机污染物等。其中,g-CN还原二氧化碳受到...
巫洪章刘进王振领
关键词:反应机理第一性原理
文献传递
Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究
2015年
稀磁半导体因兼有半导体及金属共同特性,在电子器件和磁性方面有着广泛应用.因此,无论从理论还是应用上研究稀磁半导体都具有重要意义.本文基于第一性原理计算研究了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的稳定结构、磁序特点、磁性来源及电子结构.首先,计算研究了GaAs的电子结构,证实其半导体特点;其次,研究发现了铁磁(FM)构型为Mn掺杂的GaAs体系的最稳定构型,并且基于该稳定构型进一步研究发现Mn掺杂GaAs的磁性主要来源于Mn原子;最后,研究发现Mn掺杂GaAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性,并基于此展望了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的应用前景.
张云丽杨建国朱自强周小东巫洪章谭明秋
关键词:稀磁半导体第一性原理磁性质
AuMnX(X=Sn,Sb)MOKE谱的第一性原理研究
2018年
使用密度泛函理论(DFT)第一性原理全电子缀加平面波(FLAPW)方法研究了AuMnX(X=Sb,Sn)MOKE谱.结果表明两种合金的自旋磁性主要来自Mn原子,与实验符合较好.计算结果预测AuMnSn的MOKE谱线在1.30eV和5.30eV存在克尔旋转角峰值,分别为-0.39°和+0.63°;对于AuMnSb则在1.01eV和5.31eV存在克尔转角峰值,分别为-1.71°和-1.85°.这些结果证实AuMnSb较适合做信息存储材料.
张云丽朱自强巫洪章
关键词:密度泛函理论
Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究被引量:1
2018年
采用第一性原理研究了Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系(Li_(1.1)(Zn_(1-x)Cr_x)As)(x=0.1)的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先,通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量,发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下,当掺杂的Cr原子之间的初始距离一定时,过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性有较大影响;其次,分析了Cr掺杂LiZnAs的磁性来源,发现其磁性主要来源于Cr原子的3d轨道;最后,研究了Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构,结果显示Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性.
张云丽朱自强李晓川刘奎立巫洪章周小东
关键词:第一性原理磁性特征电子结构
纳米片状Bi&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;Ga&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;9&lt;/sub&gt;的制备方法及应用
本发明公开了一种纳米片状Bi<Sub>2</Sub>Ga<Sub>4</Sub>O<Sub>9</Sub>的制备方法,包括如下步骤:以氧化镓和硝酸银为原料,首先利用固相法制备镓酸钠(NaGaO<Sub>2</Sub>)前...
刘进钟倩王振领李俐俐巫洪章金晓丹
文献传递
共1页<1>
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