杨利成
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 复合结构的晶体管制造方法及晶体管
- 本发明涉及一种固体器件,特别是双极型静电感应器件的制造方法和用这种方法制造的晶体管,以及一种新结构的双极型静电感应器件。本发明的目的通过下述方式实现:首先在衬底材料表面形成绝缘层,然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口,用扩散...
- 李思渊杨建红何山虎刘肃刘瑞喜桑保生毕祥林卓肇龙马淑萍卢小莹马中华杨利成任立
- 文献传递
- 静电感应器件及其制造方法
- 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法,特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层,再在绝缘层上刻出第一扩散窗口,以扩散或注入方式形成栅区及栅墙,在所有一次扩散区的表层进行补...
- 李思渊何山虎刘瑞喜孟雄晖刘肃杨建红姜岩峰孙志军王林马中华曹磊马淑萍芦小莹任立杨利成毕祥林黄仕琴薛传明张明兰梁元涛
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- 复合结构的晶体管制造方法及晶体管
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- 静电感应器件及其制造方法
- 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法，特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层，再在绝缘层上刻出第一扩散窗口，以扩散或注入方式形成栅区及栅墙，在所有一次扩散区的表层进行补...
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- 表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究
- 2010年
- 运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度。对表面型SITH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地计算和分析。显示数值模拟结果十分接近实际测量结果,模拟中也发现栅极的位置对栅极的控制性能的影响很大。
- 季涛杨利成
- 关键词：静电感应晶闸管势垒鞍点
