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邵花

作品数：29 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 15篇等离子
  • 14篇陶瓷
  • 14篇陶瓷涂层
  • 14篇涂层
  • 14篇喷涂
  • 14篇SUB
  • 12篇等离子喷涂
  • 12篇等离子体喷涂
  • 12篇离子喷涂
  • 6篇杂色
  • 6篇刻蚀
  • 5篇仿真
  • 4篇大气等离子喷...
  • 3篇电路
  • 3篇结构信息
  • 3篇介质
  • 3篇集成电路
  • 3篇半导体
  • 2篇低压等离子喷...
  • 2篇电路制造

机构

  • 29篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 29篇邵花
  • 15篇王文东
  • 14篇夏洋
  • 14篇李勇滔
  • 14篇韦亚一
  • 10篇刘邦武
  • 1篇刘训春
  • 1篇王文武
  • 1篇夏洋
  • 1篇罗军
  • 1篇杨红
  • 1篇董立松
  • 1篇李俊杰

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 4篇2025
  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 8篇2013
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究被引量：1
2013年
在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现,随溅射气压升高,高阻β相出现,薄膜电阻率随之增大;在相同溅射气压下,随着溅射功率的增加,薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。
邵花王文东刘训春夏洋
关键词：磁控溅射TA
多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置
本发明提供一种多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置，包括：定义待刻蚀对象的结构信息，待刻蚀对象包括硅衬底及其上方的多个由锗化硅层/硅层依次堆叠的叠层；定义锗化硅层和硅层各自的刻蚀函数；定义不同深度的左侧发射源和右侧发...
严琦韦亚一 陈睿 龚文华邵花 李晨
一种黑色Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的制备方法
本发明涉及Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种黑色Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度...
邵花王文东刘邦武夏洋李勇滔
一种原子层沉积工艺仿真建模方法、装置及设备
本发明公开一种原子层沉积工艺仿真建模方法、装置及设备，涉及集成电路制造领域，用于解决现有技术中仅对工艺参数进行量化，无法针对不同衬底结构，确定不同衬底表面形貌随着反应时间的演化情况的问题。包括：定义原子层沉积工艺中待沉积...
韦亚一邓森邵花陈睿
一种Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的改进方法
本发明涉及大气等离子喷涂技术领域，具体涉及一种Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的改进方法。所述改进方法，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y<Sub>2</Sub>O<...
邵花王文东夏洋李勇滔
一种黑色Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的制备方法
本发明涉及Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种黑色Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度...
邵花王文东刘邦武夏洋李勇滔
一种化学气相沉积的模拟仿真方法、装置、设备及介质
本发明公开一种化学气相沉积的模拟仿真方法、装置、设备及介质，涉及集成电路先进制造工艺仿真领域，所述化学气相沉积的模拟仿真方法，包括：导入化学气相沉积仿真模型，所述化学气相沉积仿真模型，包括：沉积粒子和衬底，所述沉积粒子用...
邵花喻杰韦亚一陈睿
一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备
本发明公开一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备，涉及微电子技术领域。刻蚀仿真模型的确定方法，方法包括：根据当前时刻衬底形貌数据和离子流量分布，确定当前时刻衬底表面上各个位点的刻蚀速率，得到一维刻蚀速率数据集；基于各...
李晨韦亚一陈睿邵花严琦
一种改进性能的Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法
本发明涉及大气等离子喷涂技术领域，具体涉及一种改进性能的Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y<Sub>2</S...
邵花王文东夏洋李勇滔
一种低压等离子喷涂技术制备Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的方法
本发明涉及Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种低压等离子喷涂技术制备Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷涂层的方法。所述制备黑色Y<Sub>2</Su...
邵花王文东刘邦武夏洋李勇滔
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