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高K介质栅纳米MOSFET特性及相关器件效应的研究: 随着MOSFET器件尺寸的成比例缩小，栅氧化层的厚度也不断的减小，泄漏电流成为低功耗和便携用非易失性存储器及CMOS逻辑电路所面临的严峻问题。当栅的氧化层小于3nm，无论从栅氧化层的电学特性还是从其可靠性角度来看，都出现...; 李桂芳; 关键词：纳米MOSFET 高K栅介质电学特性 MOSFET器件; 文献传递

高k纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究被引量：1: 2007年; 对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT)。对50 nm和90 nm MOSFET器件的Id-Vg特性进行了比较,发现在高Vdd下,关态泄漏电流(Ioff)随IEDT的增加而不断增大,并且器件尺寸越小,Ioff越大。高k栅介质能够减小IEDT,进而减小了Ioff,其中HfSiON、HfLaO可以使边缘隧穿电流减小2～5个数量级且边缘诱导的势垒降低(FIBL)效应很小。但当栅介质的k>25以后,由于FIBL效应,关态泄漏电流反而增大。; 杨建红李桂芳刘辉兰; 关键词：高K栅介质

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李桂芳