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陈俊

作品数：10 被引量：34H指数：4
供职机构：苏州大学电子信息学院更多>>
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相关领域：电子电信理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 5篇光电
  • 4篇光电探测
  • 3篇探测器
  • 3篇光电探测器
  • 2篇通信
  • 2篇近红外
  • 2篇混沌
  • 2篇红外
  • 2篇二极管
  • 2篇暗电流
  • 2篇P-I-N
  • 1篇带通
  • 1篇带通采样
  • 1篇电容
  • 1篇电压
  • 1篇电子专业
  • 1篇多径
  • 1篇多径干扰
  • 1篇信道
  • 1篇雪崩

机构

  • 10篇苏州大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 10篇陈俊
  • 3篇朱灿焰
  • 2篇许娟
  • 1篇殷卫霞
  • 1篇李雪
  • 1篇盛苏英
  • 1篇唐恒敬
  • 1篇朱敏
  • 1篇王青松

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇光子学报
  • 2篇信息技术
  • 1篇红外
  • 1篇苏州大学学报...
  • 1篇科教文汇
  • 1篇中国光学

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2006
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
p-i-nInP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器结构优化被引量：5
2016年
利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的,优化其结构.针对探测器吸收层厚度和吸收层掺杂浓度对暗电流、光响应的影响进行研究,发现当吸收层厚度大于0.3μm后,暗电流不再上升,但光响应随着吸收层厚度的增加而增大;当吸收层掺杂浓度不断上升时,器件暗电流不断降低,当掺杂浓度上升到2×1017/cm3时,暗电流达到最低值.本文还研究了p-i-n型探测器的瞬态响应,探究了响应速度与反偏电压之间的关系,发现提高反偏电压能减小探测器响应时间.
朱敏陈俊吕加兵唐恒敬李雪
关键词：INGAAS/INP暗电流光响应瞬态响应
表面微结构的高响应度Si基近红外光电探测器被引量：3
2020年
为了使Si基光电探测器应用到近红外光波段,需要提升其对光的响应度。通过等离子体光刻在硅基光电探测器表面制备规则有序的微结构阵列,另外通过原子层沉积(ALD)在微结构表面生长一层Al2O3膜,研究它的抗反射和钝化作用。对比测量器件的表面反射率和I-V特性曲线,并计算器件在808 nm近红外光下的光响应度。通过计算发现器件的响应度由最初的0.063 A/W提高到0.83 A/W。
唐玉玲夏少杰陈俊
关键词：SI光电探测器微结构近红外光响应度
p-i-n InP/InGaAs光电探测器的电流及电容特性研究被引量：3
2021年
为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化。利用Silvaco器件仿真工具研究了p--i--n型InP/In0.53Ga0.47As/In0.53Ga0.47As光电探测器的结构,并模拟了该结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流以及结电容的影响。结果表明,随着吸收层掺杂浓度的逐渐增大,器件的暗电流逐渐减小,结电容逐渐增大。当台阶宽度变窄时,器件的暗电流随之减小,结电容也随之变小。最后研究了光强和频率对器件结电容的影响。在低光强下,器件的结电容基本不变;当光强增大到1 W/cm2时,器件的结电容迅速增大。器件的结电容随频率的升高而减小,其峰值由缺陷能级引起。
夏少杰陈俊
关键词：INP/INGAAS暗电流结电容
石墨烯/硅光电探测器的I-V及C-V特性被引量：5
2019年
设计并制备了基于石墨烯/n型硅肖特基结的光电探测器,并从能带角度研究和分析了其I-V及C-V特性.结果表明,石墨烯/氮化硅/硅(金属-绝缘层-半导体)电容器对器件的I-V及C-V特性有较大影响.在808 nm近红外光的照射下,器件反向电流和正向电流大小接近,归因于氮化硅/硅界面堆积的光生空穴向石墨烯/硅肖特基结的扩散,器件光响应度为0.26 A/W.基于热发射模型从I-V暗电流曲线提取的肖特基势垒高度及理想因子分别为0.859 eV和2.3.利用肖特基二极管耗尽层电容公式从C-2-V曲线提取的势垒高度随着频率的增加而增加并趋于稳定在0.82 eV.由于界面态的影响,石墨烯/硅肖特基结耗尽层宽度随频率增加而增加,而硅施主原子的掺杂浓度及器件电容则随频率增加而减小.
方昕宇陈俊
关键词：石墨烯光电探测器界面态
基于OLED显示单元的红外上转换器件研究进展被引量：12
2015年
综述了不同类型上转换器件的的研究进展,包括性能优化、器件集成以及物理机制。其中基于OLED的红外上转换器件将红外探测器与OLED串联集成起来,使近红外光首先被吸收,进而光生电流驱动OLED产生可见光,可完成近红外-可见光上转换功能。该项研究拓展了OLED在红外夜视方面的应用。
陈俊王青松
关键词：近红外有机发光二极管光电探测
基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化被引量：4
2019年
使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降.
蒋毅陈俊
关键词：雪崩光电二极管击穿电压
基于协议同步的混沌数字保密通信研究
2006年
混沌数字保密通信技术的关键是实现系统之间混沌数据的严格同步。我们利用实际通信平台,从网络通信协议的思路出发,结合通信环境对UDP协议进行了适当改造,提出了一种基于协议同步的语音混沌通信系统,研究了系统的实现技术,初步讨论了混沌协议同步机制的建立。
盛苏英陈俊朱灿焰
关键词：混沌同步语音保密通信
混沌DCSK抗噪和抗多径干扰的性能分析被引量：3
2006年
目前各种混沌键控调制方案中,混沌差分键控(DCSK)有着最优的抗噪性能。主要研究混沌DCSK调制在加性高斯白噪声(AWGN)信道和两径瑞利衰落延时信道(two-ray Rayleighfading channel with delay)的误码率公式,并对其误码率特性进行相应的仿真和分析,最后再与CSK系统的性能做比较。
许娟朱灿焰殷卫霞陈俊
关键词：混沌通信差分混沌键控AWGN信道
微电子专业的量子力学一维无限深方势阱讲授
2018年
量子力学是近代物理学的基础理论之一,也是微电子专业的必修课程。而量子力学的基本概念与我们的生活经验却相去甚远,所以成了最难学的学科之一。本篇文章以量子力学中一维无限深方势阱为例,首先讲授一维无限深方势阱的概念及推导过程,在此基础上对量子阱形成的子能级等量子现象及其特殊的地方进行讨论,最后讲解此概念的实际应用暨量子阱器件。本文分书本知识、概念引申及现实应用三部分对学生讲授该知识点,让学生对该知识点及其在电子器件中的应用能有更清楚的了解。
陈俊
关键词：微电子
基于专用DDC的软件无线电接收机的设计
2006年
介绍了软件无线电的基本思想及结构,提出了一种基于可编程数字下变频器HSP50214B的中频软件无线电接收系统的设计方案。该方案结构比较简单,灵活性强,能对多种中频信号进行接收处理。
陈俊朱灿焰许娟
关键词：软件无线电带通采样数字下变频USB接口
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