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徐明升

作品数：75 被引量：11H指数：3
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 5篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇电极
  • 12篇探测器
  • 11篇氧化镓
  • 10篇势垒
  • 10篇紫外
  • 8篇纳米
  • 7篇势垒层
  • 7篇基板
  • 7篇二极管
  • 7篇场效应
  • 7篇衬底
  • 6篇单光子
  • 6篇单光子探测
  • 6篇单光子探测器
  • 6篇紫外光源
  • 6篇晶体管
  • 6篇光子
  • 6篇光子探测器
  • 6篇半导体
  • 5篇氮化镓

机构

  • 75篇山东大学
  • 2篇山东浪潮华光...
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇南京大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇济南明泉医疗...

作者

  • 75篇徐明升
  • 48篇徐现刚
  • 22篇韩吉胜
  • 21篇崔鹏
  • 12篇李树强
  • 10篇陈秀芳
  • 8篇辛倩
  • 8篇宋爱民
  • 6篇王强
  • 6篇葛磊
  • 5篇胡小波
  • 4篇林兆军
  • 4篇罗鑫
  • 3篇彭燕
  • 3篇展杰
  • 3篇张雷
  • 3篇刘磊
  • 3篇王晓敏
  • 3篇冀子武
  • 3篇王国栋

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇光子学报

年份

  • 12篇2024
  • 15篇2023
  • 9篇2022
  • 6篇2021
  • 9篇2020
  • 8篇2019
  • 9篇2018
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 75 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度被引量：4
2015年
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C(0001)面上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响,从而获得Ga N薄膜的螺位错密度和刃位错密度分别为4.62×107 cm-2和5.20×109 cm-2,总位错密度为5.25×109 cm-2。
崔潆心徐明升徐现刚胡小波
关键词：氮化镓薄膜高分辨X射线衍射位错密度
一种海洋防生物附着紫外光源及其制备方法
本发明涉及一种海洋防生物附着紫外光源及其制备方法，包括外壳，外壳内部设置有相连接的电路板和电池，外壳的前端设置有紫外LED灯并通过保护罩封装在外壳前端，紫外LED灯与电路板电连接，外壳上连接有固定用的夹具。本发明海洋防生...
徐现刚肖龙飞徐明升陈秀芳
文献传递
一种适用于低压力化学气相沉积法的石英装置
本发明涉及一种适用于低压力化学气相沉积法的石英装置，包括横向的圆柱形的石英舟外壳，石英舟外壳内部从右向左依次竖向设置有第一隔板、第二隔板和第三隔板，第三空腔内中心设置有横向圆柱形的鼠笼舟，鼠笼舟的圆周面上均匀设置有若干通...
徐明升贾垂邦陈晓华韩吉胜徐现刚
一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层和ScAl...
崔鹏陈思衡韩吉胜徐现刚林兆军展杰徐明升崔潆心钟宇
一种海洋防生物附着紫外光源
本实用新型涉及一种海洋防生物附着紫外光源，包括外壳，外壳内部设置有相连接的电路板和电池，外壳的前端设置有紫外LED灯并通过保护罩封装在外壳前端，紫外LED灯与电路板电连接，外壳上连接有固定用的夹具。本实用新型海洋防生物附...
徐现刚肖龙飞徐明升陈秀芳
文献传递
一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法
本发明涉及一种倒装GaN基HEMT‑LED集成器件，自上而下依次包括衬底、缓冲层，缓冲层的下表面一部分设置有N型导电层，另一部分设置有氮化镓(GaN)沟道层，在N型导电层的下表面自上而下依次包括多量子阱有源区、P型导电层...
徐明升王晓敏葛磊
文献传递
LED多光谱治疗系统
本实用新型涉及一种LED多光谱治疗系统，包括可调支架，可调支架顶部设置有可发出多波长光的LED光源组件，LED光源组件电连接有用以驱动LED光源组件发光的驱动电路模块、用以控制LED光源组件的发光功率、发光波长、发光时间...
徐明升王心旭
文献传递
LED多光谱治疗系统
本发明涉及一种LED多光谱治疗系统，包括可调支架，可调支架顶部设置有可发出多波长光的LED光源组件，LED光源组件电连接有用以驱动LED光源组件发光的驱动电路模块、用以控制LED光源组件的发光功率、发光波长、发光时间的控...
徐明升王心旭
文献传递
一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件
本实用新型涉及一种倒装GaN基HEMT‑LED集成器件，自上而下依次包括衬底、缓冲层，缓冲层的下表面一部分设置有N型导电层，另一部分设置有氮化镓(GaN)沟道层，在N型导电层的下表面自上而下依次包括多量子阱有源区、P型导...
徐明升王晓敏葛磊
文献传递
一种在氮化镓衬底上二次生长氧化镓的方法
本发明涉及一种在氮化镓衬底上制备氧化镓薄膜的方法，该方法第一步热氧化氮化镓衬底制备氧化镓薄膜，第二步在低压化学气相沉积设备中在热氧化后的衬底上进行二次生长。MOCVD在蓝宝石衬底上生长的(002)面氮化镓为衬底，热氧化方...
徐明升滕达孙振葛磊徐现刚
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