李亦清
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：苏州大学电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- Ge_2Sb_2Te_5相变存储器相变机理的研究
- 相变存储器被认为是最有希望替代现有存储器技术的下一代非挥发性存储器。Ge2Sb2Te5(GST)虽然是一种比较成熟的材料,但它的特性还在不断摸索中。特别是将它用在相变存储器上后,对材料的电学性能提出了更高的要求,这就需要...
- 李亦清
- 关键词：相变存储器第一性原理阈值电压
- 文献传递
- Ge_2Sb_2Te_5相变存储器导电机制研究
- 2011年
- 本文研究了Ge2Sb2Te5相变存储器的导电机制。本文考虑了实验中观察到的场致激活能的非线性下降以及结晶化后跳跃间距变大带来的影响,提出了一种有效导带底偏移模型,并在此基础上建立了修正的电流模型。计算结果表明,激活能随电压增加呈双曲余切的下降趋势,符合测量结果。该模型还包含了温度效应,结果表明跳跃间距与温度成反比。最后的计算结果与不同温度下的I-V测量结果一致,和实验观察到的I-V特征也很好地吻合。
- 李亦清王子欧李有忠陈智毛凌锋
- 关键词：相变存储器
- 表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响被引量：1
- 2012年
- 建立了单栅石墨烯场效应晶体管处于栅氧化层界面平整时的电流模型,在此基础上分析氧化层界面粗糙度对源漏电流的影响.研究表明:粗糙界面会导致源漏电流有所下降;且粗糙度越大,源漏电流下降越多.
- 陈智王子欧李亦清李有忠毛凌锋
- 关键词：石墨烯场效应晶体管电流
- 考虑量子效应的短沟道n-MOSFET表面电势分布数值模型
- 2011年
- 提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型,并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数值模拟结果很好地吻合.结果表明:源漏偏压会造成线性区的沟道表面势减小,进而导致阈值电压下跌;而在饱和区,源漏偏压的影响更大,会造成表面势明显下降,阈值下跌将会更加严重.
- 李亦清王子欧李文石李有忠陈智毛凌锋
- 关键词：量子效应短沟道效应表面势
