杨颖琳
- 作品数：9 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 一种新型MEMS高Q值非螺线管集成电感及其制备方法
- 本发明公开了一种新型MEMS高Q值非螺线管集成电感及其制备方法，该集成电感包含：硅基体；嵌设在所述硅基体内的TSV微铜柱，其两端分别露出，该TSV微铜柱包含：中心端口铜柱、内侧微铜柱组、第一外侧微铜柱组及第二外侧微铜柱组...
- 周盛锐徐玲杨颖琳
- 文献传递
- 基于MEMS工艺的高Q值三维螺旋结构电感及其制作方法
- 本发明属于微电子技术领域，具体为基于MEMS工艺的高Q值三维螺旋结构集成电感及其制作方法。本发明的三维螺旋结构集成电感包括硅基体、基层绝缘层、螺旋线圈、螺旋线圈间支撑物；所述基层绝缘层用于隔离电感螺旋线圈与硅基体，螺旋线...
- 徐玲周盛锐卢基存杨颖琳史传进
- 文献传递
- 倒掺杂沟道MOSFETs的研究
- 2010年
- 本文研究了一种倒掺杂沟道MOSFET。与传统的MOSFETs不同,这种器件采用沟道表面掺杂浓度低、体内掺杂浓度高的倒掺杂设计。基于Possion方程,建立了线性变掺杂的沟道倒掺杂模型,得出了器件表面电势以及漏极电流的表达式,研究了垂直于沟道方向上倒掺杂的陡峭程度对漏极电流、饱和驱动电流以及表面电势的影响。计算结果与二维仿真软件MEDICI模拟结果相符。
- 杨颖琳陈军宁高珊
- 关键词：漏极电流MOSFET
- 22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
- 2012年
- 研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。
- 杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平
- 关键词：异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势
- 一种基于智能ID的衣物生态圈系统
- 本发明属于生物用品技术领域，具体为一种基于智能ID的衣物生态圈系统。本系统包括了衣物身份智能ID，衣物生产系统，智能销售系统，智能洗护系统和衣物回收系统。所述衣物身份智能ID与衣物配套生产，每一衣物设有一个ID；所述智能...
- 王肖张怡云吕良剑杨颖琳史传进
- 文献传递
- 槽栅倒掺杂MOSFET的研究
- 微纳米特征尺寸的IC 技术是当前和未来主流的VLSi生产技术。进入纳米尺
度后，随着MOSFET 器件尺寸的持续缩小，在长沟道MOSFET 器件中原本不重要
的参数在小尺寸器件中变得显著，并严重影响着器件的性...
- 杨颖琳
- 关键词：槽栅MOSFET阈值电压寄生电阻
- 一种碳化硅表面增强的铝散热基板及制造方法
- 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种碳化硅表面增强的铝散热基板及制造方法。本发明将纳米碳化硅陶瓷颗粒均匀铺洒在铝基板表面，采用激光束或电子束对纳米碳化硅陶瓷颗粒进行烧结，形成的碳化硅层均匀覆盖在铝基板表面；界面处纳米碳...
- 徐玲周盛锐杨颖琳史传进
- 一种新型MEMS高Q值非螺线管集成电感及其制备方法
- 本发明公开了一种新型MEMS高Q值非螺线管集成电感及其制备方法，该集成电感包含：硅基体；嵌设在所述硅基体内的TSV微铜柱，其两端分别露出，该TSV微铜柱包含：中心端口铜柱、内侧微铜柱组、第一外侧微铜柱组及第二外侧微铜柱组...
- 周盛锐徐玲杨颖琳
- 文献传递
- 22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究
- 本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析...
- Yang Yinglin杨颖琳Hu Cheng胡成Zhu Lun朱伦Xu Peng许鹏Zhu Zhiwei朱志炜Zhang Wei张卫Wu Dongping吴东平
- 关键词：性能评价
