杨光华
- 作品数:3 被引量:11H指数:1
- 供职机构:北京理工大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域:电子电信机械工程更多>>
- 减小极紫外光刻投影系统变形的投影物镜结构优化方法
- 本发明公开了一种减小极紫外光刻投影系统变形的投影物镜结构优化方法,其采用有限元仿真软件建立以反射镜中心厚度和边缘宽度为参数的待优化反射镜的有限元模型;然后加载反射镜的热边界条件和结构边界条件,采用有限元仿真软件获得反射镜...
- 李艳秋杨光华刘菲
- 文献传递
- 减小极紫外光刻投影系统变形的投影物镜结构优化方法
- 本发明公开了一种减小极紫外光刻投影系统变形的投影物镜结构优化方法,其采用有限元仿真软件建立以反射镜中心厚度和边缘宽度为参数的待优化反射镜的有限元模型;然后加载反射镜的热边界条件和结构边界条件,采用有限元仿真软件获得反射镜...
- 李艳秋杨光华刘菲
- 22nm极紫外光刻物镜热和结构变形及其对成像性能影响被引量:11
- 2012年
- 极紫外光刻技术(EUVL)是半导体制造实现22nm及其以下节点的下一代光刻技术。在曝光过程中,EUVL物镜的每一面反射镜吸收35%~40%的入射极紫外(EUV)能量,使反射镜发生热和结构变形,影响投影物镜系统的成像性能。基于数值孔径为0.3,满足22nm技术节点的产业化EUV投影物镜,采用有限元分析(FEA)的方法研究反射镜变形分布,再将变形导入光学设计软件CODE V中,研究反射镜变形其对成像特性的影响。研究结果表明:当达到硅片的EUV能量为321mW,产量为每小时100片时,反射镜最高升温9.77℃,通光孔径内的最大变形为5.89nm;若采用相干因子0.5的部分相干光照明,变形对22nm线宽产生6.956nm的畸变和3.414%的线宽误差。
- 杨光华李艳秋
- 关键词:有限元方法极紫外光刻投影物镜