胡佐富
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法
- 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750-850℃下高温处理20-60分钟；步骤2，在500-700℃下，...
- 张希清孙建黄海琴刘凤娟胡佐富赵建伟
- 文献传递
- ZnO薄膜和晶体的生长、特性及应用研究
- 本文用MBE和CVD在蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜和晶体，并对薄膜和晶体的结构和光学性质进行了研究。在此基础上制备了声表面波器件和光敏电阻，并研究了器件的性能。
- 张希清刘凤娟李振军胡佐富
- MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法
- MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法，属于光电子信息领域，主要用于产生低偏压、高响应的日盲光敏电阻器。解决了大组份Mg的MgZnO制备的相分离问题。MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长第一层Mg<Sub...
- 张希清刘凤娟胡佐富黄海琴王永生
- 文献传递
- 六角形氧化锌单晶的生长和发光特性的研究
- 近年来,宽禁带半导体材料氧化锌(ZnO)受到了广泛的关注.由于ZnO的禁带宽度达3.37ev,具有良好的光学性能.ZnO材料被认为是制备如紫外LED,激光二极管,紫外光电探测器的优良材料[1-3].从一定程度来说,ZnO...
- 李振军胡佐富刘凤娟黄海琴张希清
- 在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法
- 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750－850℃下高温处理20－60分钟；步骤2，在500－700℃下，...
- 张希清孙建黄海琴刘凤娟胡佐富赵建伟
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- MgZnO基有机/无机复合紫外光探测器的研制
- 紫外光探测器被广泛的用于环境监测、火焰探测、导弹预警以及空间传输等领域。MgZnO基紫外光探测器由于MgZnO材料的优点受到了人们的广泛关注。然而由于MgZnO材料稳定的P型掺杂难以实现，只能制备单一结构器件，这阻碍了M...
- 胡佐富
- 关键词：紫外光探测器光电性能
- 文献传递
- MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法
- MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石...
- 张希清胡佐富刘凤娟李振军王永生
- 文献传递
- MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法
- MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石...
- 张希清胡佐富刘凤娟李振军王永生
- 分子束外延生长的ZnO压电薄膜及其声表面波器件特性被引量：5
- 2012年
- 用RF-MBE在蓝宝石(0001)衬底上引入MgO和低温ZnO双缓冲层生长了ZnO薄膜,并制备了声表面波器件。在ZnO薄膜中,仅观测到(0002)面的XRD,且衍射峰增强,半高宽减小,表明ZnO薄膜c轴取向性更好,晶体结构更优。室温下自由激子吸收峰更尖锐和吸收边更陡峭以及仅观测到自由激子发光,且发光线宽变窄、发光强度变大,表明ZnO薄膜缺陷密度减小,薄膜质量提高。测得该ZnO压电薄膜的电阻率高达4×107Ω.cm,其声表面波的速度高达5 010 m/s。
- 刘凤娟胡佐富李振军张希清
- 关键词：ZNO声表面波
